時間：2025/5/30 19:12:32
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GA0402Y221JXBAC31G是一款高性能的功率MOSFET器件，采用先進(jìn)的半導(dǎo)體制造工藝設(shè)計。該芯片主要應(yīng)用于高效率開關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動以及負(fù)載切換等領(lǐng)域。其卓越的導(dǎo)通電阻和低開關(guān)損耗特性使其成為許多高功率密度應(yīng)用的理想選擇。
該器件支持快速開關(guān)操作，并具備出色的熱性能，從而能夠承受更高的電流負(fù)載并保持穩(wěn)定的工作狀態(tài)。此外，GA0402Y221JXBAC31G還具有內(nèi)置的保護(hù)功能，如過流保護(hù)和短路保護(hù)，提高了系統(tǒng)的可靠性和安全性。
型號：GA0402Y221JXBAC31G
類型：N溝道增強型MOSFET
漏源電壓(Vds)：60V
柵源電壓(Vgs)：±20V
連續(xù)漏極電流(Id)：80A
導(dǎo)通電阻(Rds(on))：4mΩ
總柵極電荷(Qg)：75nC
輸入電容(Ciss)：3520pF
工作溫度范圍：-55℃至+175℃
1. 極低的導(dǎo)通電阻（Rds(on)），可顯著降低傳導(dǎo)損耗，提高整體系統(tǒng)效率。
2. 快速開關(guān)速度，支持高頻工作環(huán)境，適合現(xiàn)代高效能電力電子設(shè)備。
3. 超薄封裝設(shè)計，有助于優(yōu)化PCB布局并減少散熱需求。
4. 內(nèi)置ESD保護(hù)電路，增強芯片的抗靜電能力。
5. 支持寬范圍的工作溫度，適應(yīng)各種惡劣環(huán)境下的應(yīng)用需求。
6. 高可靠性與長壽命設(shè)計，確保在長期運行中的穩(wěn)定性。
1. 開關(guān)電源（SMPS）中的主開關(guān)管或同步整流管。
2. DC-DC轉(zhuǎn)換器中的高頻功率開關(guān)。
3. 電動工具、家用電器等產(chǎn)品的電機驅(qū)動控制。
4. 工業(yè)自動化設(shè)備中的負(fù)載切換與保護(hù)。
5. 新能源汽車及儲能系統(tǒng)中的功率管理模塊。
6. 充電器和適配器中的功率級組件。
IRF3205
FDP15N60
STP80NF60
