IPB100N10S3-05 是一款基于溝槽柵極場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (Trench MOSFET) 技術(shù)的 N 溝道功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)。該器件專為高效率和高頻開關(guān)應(yīng)用設(shè)計(jì),具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)速度的特點(diǎn)。其封裝形式為 TO-263 (DPAK),適合表面貼裝工藝,廣泛應(yīng)用于電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、DC-DC 轉(zhuǎn)換器以及負(fù)載切換等場(chǎng)景。
IPB100N10S3-05 的額定電壓為 100V,能夠處理高達(dá) 10A 的連續(xù)漏極電流,并且具備出色的熱性能和可靠性,適用于需要緊湊型解決方案的應(yīng)用場(chǎng)合。
最大漏源電壓:100V
連續(xù)漏極電流:10A
導(dǎo)通電阻(典型值):7.5mΩ
柵極電荷(典型值):4.8nC
輸入電容(典型值):1280pF
工作溫度范圍:-55°C 至 +175°C
封裝形式:TO-263 (DPAK)
IPB100N10S3-05 具有以下顯著特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻 (Rds(on)),可減少傳導(dǎo)損耗并提高效率。
2. 快速開關(guān)能力,降低開關(guān)損耗,適合高頻應(yīng)用。
3. 小型化的 DPAK 封裝,便于實(shí)現(xiàn)高密度電路布局。
4. 出色的熱穩(wěn)定性,確保在極端環(huán)境條件下正常運(yùn)行。
5. 內(nèi)置 ESD 保護(hù)功能,增強(qiáng)器件的抗靜電能力。
6. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且無(wú)鉛設(shè)計(jì)。
這些特性使 IPB100N10S3-05 成為高性能功率轉(zhuǎn)換和電機(jī)控制應(yīng)用的理想選擇。
IPB100N10S3-05 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS),包括 AC-DC 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。
2. 各類電機(jī)驅(qū)動(dòng),如步進(jìn)電機(jī)、無(wú)刷直流電機(jī)等。
3. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切換和保護(hù)電路。
4. LED 照明驅(qū)動(dòng)電路,用于高效能調(diào)光調(diào)色控制。
5. 電池管理系統(tǒng) (BMS) 中的充放電控制與保護(hù)。
6. 通信設(shè)備及消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的功率管理模塊。
憑借其優(yōu)異的性能指標(biāo)和可靠性的保障,IPB100N10S3-05 在上述應(yīng)用場(chǎng)景中表現(xiàn)出色。
IPW100N10S3L-05, IRFZ44N, FDP177N10SBD