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NDS8435A 發(fā)布時間 時間:2025/5/22 0:47:20 查看 閱讀:14

NDS8435A是一款N-溝道增強(qiáng)型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)。該器件采用先進(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度和出色的熱性能。NDS8435A廣泛應(yīng)用于各種功率管理電路中,如DC-DC轉(zhuǎn)換器、負(fù)載開關(guān)、電池保護(hù)電路以及電機(jī)驅(qū)動等。其封裝形式通常為SOT-23,適合于空間受限的應(yīng)用場合。
  該MOSFET的主要特點是其優(yōu)化的電氣性能和可靠性,能夠在高頻開關(guān)條件下提供高效的功率轉(zhuǎn)換。

參數(shù)

最大漏源電壓(Vds):30V
  最大柵源電壓(Vgs):±8V
  連續(xù)漏極電流(Id):1.6A
  導(dǎo)通電阻(Rds(on)):0.15Ω@Vgs=4.5V
  總功耗(Ptot):410mW
  工作溫度范圍:-55℃ to +150℃

特性

NDS8435A具有以下關(guān)鍵特性:
  1. 低導(dǎo)通電阻:在典型工作條件下,Rds(on)僅為0.15Ω,有助于降低傳導(dǎo)損耗并提高效率。
  2. 小型化封裝:采用SOT-23封裝,節(jié)省PCB板空間,非常適合便攜式設(shè)備。
  3. 高開關(guān)速度:由于其較低的輸入電容和輸出電容,可以實現(xiàn)快速的開關(guān)操作。
  4. 熱穩(wěn)定性強(qiáng):能夠承受較高的結(jié)溫,并保持長期可靠性。
  5. 靜電防護(hù)能力:內(nèi)置ESD保護(hù)機(jī)制,增強(qiáng)產(chǎn)品耐用性。
  6. 可靠性高:符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn),通過了嚴(yán)格的測試驗證。

應(yīng)用

NDS8435A適用于多種電子系統(tǒng)中的功率控制與管理:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)及DC-DC轉(zhuǎn)換器。
  2. 負(fù)載開關(guān)與電源路徑管理。
  3. 電池充電與保護(hù)電路。
  4. 電機(jī)驅(qū)動與控制。
  5. 工業(yè)自動化設(shè)備中的信號隔離與功率切換。
  6. 消費類電子產(chǎn)品中的背光驅(qū)動與LED照明控制。

替代型號

NDS8435B, NDS8436A, BSS138

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nds8435a參數(shù)

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝2,500
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 單
  • 系列-
  • FET 型MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電壓(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C7.9A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C23 毫歐 @ 7.9A,10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs67nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1800pF @ 15V
  • 功率 - 最大1W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝8-SOIC
  • 包裝管件
  • 其它名稱Q4210279C