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SI7463ADP-T1-GE3 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/5/24 15:12:42 查看 閱讀：10

SI7463ADP-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生產(chǎn)的 N 溝道功率 MOSFET。該器件采用先進(jìn)的制造工藝，具有低導(dǎo)通電阻和高效率的特性，廣泛應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源、DC-DC 轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及負(fù)載開(kāi)關(guān)等場(chǎng)景。其封裝形式為 TO-252 (DPAK)，適合表面貼裝技術(shù) (SMD) 的應(yīng)用需求。
　　這款 MOSFET 的主要特點(diǎn)是能夠提供高效的電流傳輸能力和較低的功耗，同時(shí)具備出色的熱性能，能夠在緊湊的設(shè)計(jì)中保持良好的穩(wěn)定性和可靠性。

參數(shù)

最大漏源電壓：60V
　　最大柵源電壓：±20V
　　連續(xù)漏極電流：42A
　　導(dǎo)通電阻：2.5mΩ
　　總柵極電荷：48nC
　　開(kāi)關(guān)速度：快速
　　工作結(jié)溫范圍：-55℃ 至 +175℃

特性

SI7463ADP-T1-GE3 的設(shè)計(jì)重點(diǎn)在于降低導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗，從而提升整體系統(tǒng)效率。其低導(dǎo)通電阻 (<2.5mΩ) 特性使其在大電流應(yīng)用中表現(xiàn)出色，而優(yōu)化的柵極電荷參數(shù)則有助于減少開(kāi)關(guān)過(guò)程中的能量損失。
　　此外，該器件的高雪崩能力確保了在異常條件下仍能保持可靠性。其封裝形式 TO-252 提供了良好的散熱性能，同時(shí)兼容自動(dòng)化的 SMD 貼裝工藝，降低了生產(chǎn)成本并提高了組裝效率。
　　由于其出色的電氣性能和可靠性，SI7463ADP-T1-GE3 成為許多高效能功率轉(zhuǎn)換和控制應(yīng)用的理想選擇。

應(yīng)用

該器件適用于多種工業(yè)及消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品領(lǐng)域，包括但不限于以下應(yīng)用場(chǎng)景：
　　- 開(kāi)關(guān)電源 (SMPS)
　　- DC-DC 轉(zhuǎn)換器
　　- 電機(jī)驅(qū)動(dòng)與控制
　　- 電池管理系統(tǒng) (BMS)
　　- 汽車(chē)電子中的負(fù)載切換
　　- LED 驅(qū)動(dòng)電路
　　- 通信設(shè)備中的功率管理模塊
　　這些應(yīng)用充分發(fā)揮了 SI7463ADP-T1-GE3 在高效率、高可靠性和緊湊設(shè)計(jì)方面的優(yōu)勢(shì)。

替代型號(hào)

SI7462DP, IRF7832, AO3400

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si7463adp-t1-ge3參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨查看交期
  • 價(jià)格1 : ￥10.02000剪切帶（CT）3,000 : ￥4.26552卷帶（TR）
  • 系列TrenchFET?
  • 包裝卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • FET 類(lèi)型P 通道
  • 技術(shù)MOSFET（金屬氧化物）
  • 漏源電壓（Vdss）40 V
  • 25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)46A（Tc）
  • 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V
  • 不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）10 毫歐 @ 15A，10V
  • 不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）2.3V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）144 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）±20V
  • 不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）4150 pF @ 20 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散（最大值）5W（Ta），39W（Tc）
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安裝類(lèi)型表面貼裝型
  • 供應(yīng)商器件封裝PowerPAK? SO-8
  • 封裝/外殼PowerPAK? SO-8