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動態(tài)存儲�
閱讀�3847時間�2017-08-07 11:25:03

    在指定功能或�(yīng)用軟件之間共享的存儲�。如果一個或兩個應(yīng)用軟件占用了所有存儲器空間,此時將無法為其他應(yīng)用軟件分配存儲器空間� 例如,日�、短信息和電話簿 (或通訊錄) 可能會共享移動設(shè)備中的動�(tài)存儲�。一般計算機(jī)系統(tǒng)使用的隨�(jī)存取�(nèi)�(RAM)可分動態(tài)隨機(jī)存取�(nèi)�(DRAM)與靜�(tài)隨機(jī)存取�(nèi)�(SRAM)兩種,差異在于DRAM需要由存儲器控制電路按一定周期對存儲器刷�,才能維系數(shù)�(jù)保存,SRAM的數(shù)�(jù)則不需要刷新過�,在上電期間,數(shù)�(jù)不會丟失�

原理

    動態(tài)RAM的工作原� 和靜�(tài)RAM一�,動�(tài)RAM也是由許多基本存儲元按照行和列來組成的� 3管動�(tài)RAM的基本存儲電路如右圖所�。在這個電路中,讀選擇線和寫選擇線是分開的,讀選擇線和寫選擇線也是分開��

    寫操作時

    寫選擇線�"1",所以Q1�(dǎo)�,要寫入的數(shù)�(jù)通過Q1送到Q2的柵�,并通過柵極電容在一定時間內(nèi)保持信息。讓我們看一下動�(tài)效果�

    讀操作�

    先通過公用的預(yù)充電管Q4使讀�(shù)�(jù)線上的分布電容CD充電,當(dāng)讀選擇線為高電平有效時,Q3處于可導(dǎo)通的狀�(tài)。若原來存有"1",則Q2�(dǎo)�,讀�(shù)�(jù)線的分布電容CD通過Q3、Q2放電,此時讀得的信息�"0",正好和原存信息相反;若原存信息�"0",則Q3盡管具備�(dǎo)通條�,但因為Q2截止,所�,CD上的電壓保持不變,因而,讀得的信息�"1"。可�,對這樣的存儲電路,讀得的信息和原來存入的信息正好相反,所以要通過讀出放大器�(jìn)行反相在送往 �(shù)�(jù)總線�

類別與相�(guān)�(chǎn)�

    同步

    1:雙倍數(shù)�(jù)速率2 存儲� (DDR2)

    雙倍數(shù)�(jù)速率 2 存儲� (DDR2) 一直以球形�(wǎng)格陣� (BGA)封裝方式供應(yīng)。他們具� 3 納秒,甚� 2.5� 秒的低循�(huán)次數(shù) (Cycle time) ,因此可�(dá)� 800 兆赫 (MHz) 的數(shù)�(jù)速率。反過來,與最初的雙倍數(shù)�(jù)速率存儲器相�,他們具有較長的等待時間 (Latency) 。不�,雙倍數(shù)�(jù)速率 2 存儲� (DDR2) 速度明顯快于 雙倍數(shù)�(jù)速率 1 存儲��4/8 � 16 比特 (bit) 總線帶寬情況下,他們的存儲容量范圍� 256 兆比� (Mbit) 直至 整整2 千兆比特 (Gbit)�

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    爾必�(dá) (Elpida):

    雙倍數(shù)�(jù)速率 2 存儲� (DDR2) 256兆比� � 1 千兆比特,x4 / x8 / x16 比特 (bit),球形網(wǎng)格陣� (BGA)

    海力� (Hynix)�

    雙倍數(shù)�(jù)速率 2 存儲� (DDR2) 256兆比� � 1 千兆比特,x4 / x8 / x16 比特 (bit),球形網(wǎng)格陣� (BGA)

    美光 (Micron) �

    雙倍數(shù)�(jù)速率 2 存儲� (DDR2) 256兆比� � 1 千兆比特,x4 / x8 / x16 比特 (bit),球形網(wǎng)格陣� (BGA)

    奇夢�(dá) (Qimonda) 前身為英飛凌 (Infineon)�

    雙倍數(shù)�(jù)速率 2 存儲� (DDR2) 256兆比� � 1 千兆比特,x4 / x8 / x16 比特 (bit),球形網(wǎng)格陣� (BGA)

    茂德科技 (Promos)�

    雙倍數(shù)�(jù)速率 2 存儲� (DDR2) 256兆比� � 1 千兆比特,x4 / x8 / x16 比特 (bit),球形網(wǎng)格陣� (BGA)

    三星 (Samsung) �

    雙倍數(shù)�(jù)速率 2 存儲� (DDR2) 256兆比� � 1 千兆比特,x4 / x8 / x16 比特 (bit),球形網(wǎng)格陣� (BGA)

    2:雙倍數(shù)�(jù)速率1 存儲� (DDR1)

    代雙倍數(shù)�(jù)速率存儲器采用薄型小尺寸封裝 (TSOP) 或球形網(wǎng)格陣� (BGA)封裝。雙倍數(shù)�(jù)速率1 存儲� (DDR1) 提供 400 兆赫(MHz)的傳輸速率,存儲容量從 256 兆比特到 1 千兆比特。雙倍數(shù)�(jù)速率1 存儲� (DDR1) 存儲器需 2.5V的電壓及4,8,16 � 32比特的總線帶�。與雙倍數(shù)�(jù)速率 2 存儲� (DDR2) 的區(qū)別: 雙倍數(shù)�(jù)速率1 存儲� (DDR1) 存取和等待時間較短�

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    爾必�(dá) (Elpida):

    雙倍數(shù)�(jù)速率1 存儲� (DDR1) 128 兆比� - 512 兆比�,x4 / x8 / x16 / x32比特 (bit),薄型小尺寸封裝 (TSOP) /球形�(wǎng)格陣� (BGA)

    森富 (Eorex)�

    雙倍數(shù)�(jù)速率1 存儲� (DDR1) 128 兆比� - 512 兆比�� x16 比特 (bit),薄型小尺寸封裝 (TSOP)

    晶豪 (ESMT)�

    雙倍數(shù)�(jù)速率1 存儲� (DDR1) 128兆比� - 256 兆比�,x16 / x32 比特 (bit),薄型小尺寸封裝 (TSOP) / x32 比特 (bit), 球形�(wǎng)格陣� (BGA),工�(yè)級溫��

    鈺創(chuàng) (Etron)�

    雙倍數(shù)�(jù)速率1 存儲� (DDR1) 64 兆比� - 256 兆比�,x16 / x32 比特 (bit),薄型小尺寸封裝 (TSOP) / x32 比特 (bit), 球形�(wǎng)格陣� (BGA)

    海力� (Hynix)�

    雙倍數(shù)�(jù)速率1 存儲� (DDR1) 128 兆比� - 512 兆比�,x 8 / x16 / x32 比特 (bit),薄型小尺寸封裝 (TSOP) /球形�(wǎng)格陣� (BGA)

    蕊成 (ISSI)�

    雙倍數(shù)�(jù)速率1 存儲� (DDR1) 128 兆比� � 512 兆比特,x 8 / x16 / x32 比特 (bit),薄型小尺寸封裝 (TSOP) / x32 比特 (bit), 球形�(wǎng)格陣� (BGA),工�(yè)級溫��

    美光 (Micron) �

    雙倍數(shù)�(jù)速率1 存儲� (DDR1) 128 兆比� - 1 千兆比特,x4 / x8 / x16 / x32 比特 (bit),薄型小尺寸封裝 (TSOP) /球形�(wǎng)格陣� (BGA),工�(yè)級溫��

    茂德科技 (Promos)�

    雙倍數(shù)�(jù)速率1 存儲� (DDR1) 128 兆比� - 512兆比�,薄型小尺寸封裝 (TSOP) /球形�(wǎng)格陣� (BGA)� x8 / x16 / x32 比特 (bit),工�(yè)級溫��

    奇夢�(dá) (Qimonda) 前身為英飛凌 (Infineon)�

    雙倍數(shù)�(jù)速率1 存儲� (DDR1) 128 兆比� - 512 兆比特,x4 / x8 / x16 / x32 比特 (bit),薄型小尺寸封裝 (TSOP) /球形�(wǎng)格陣� (BGA)

    三星 (Samsung) �

    雙倍數(shù)�(jù)速率1 存儲� (DDR1) 128 兆比� � 1 千兆比特,x4 / x8 / x16 / x32 比特 (bit),薄型小尺寸封裝 (TSOP) /球形�(wǎng)格陣� (BGA)

    3:同步動�(tài)存儲� (SDRAM)

    同步動態(tài)存儲器(簡稱為SDRAMs)以高達(dá) 200 MHz的時鐘頻率與總線頻率同步�(yùn)行。它們的存儲容量� 16 兆比特到 512 兆比� (16M � 512M bit),在 4/8/16/32 比特 (bit) 總線帶寬下可�。典型工作電壓: 3.3�� 封裝� BGA(球形網(wǎng)格陣列)或TSOP(薄型小尺寸封裝)�

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    同步動態(tài)存儲� (SDRAM) 64 兆比� � 128 兆比�,x16,薄型小尺寸封裝 (TSOP)

    �(lián)笙電� (Amic)�

    同步動態(tài)存儲� (SDRAM) 16 兆比� � 64 兆比特,x16,薄型小尺寸封裝 (TSOP)

    爾必�(dá) (Elpida):

    同步動態(tài)存儲� (SDRAM) 64 兆比� - 512 兆比�,x8 / x16 / x32 比特 (bit),薄型小尺寸封裝 (TSOP)

    森富 (Eorex)�

    同步動態(tài)存儲� (SDRAM) 64 兆比� - 256 兆比�,x16 / x32 比特 (bit),薄型小尺寸封裝 (TSOP)

    晶豪 (ESMT)�

    同步動態(tài)存儲� (SDRAM) 16 兆比� � 128 兆比特,x16 / x32 比特 (bit),薄型小尺寸封裝 (TSOP) /球形�(wǎng)格陣� (BGA),工�(yè)級溫��

    鈺創(chuàng) (Etron)�

    同步動態(tài)存儲� (SDRAM) 16 兆比� � 128 兆比�,x16 / x32 比特 (bit),薄型小尺寸封裝 (TSOP) /球形�(wǎng)格陣� (BGA),工�(yè)級溫度�

    海力� (Hynix)�

    同步動態(tài)存儲� (SDRAM) 16 兆比� � 256 兆比�,x4 / x 8 / x16 比特 (bit),薄型小尺寸封裝 (TSOP)

    蕊成 (ISSI)�

    同步動態(tài)存儲� (SDRAM) 16 兆比� � 512 兆比特,x 8 / x16 / x32 比特 (bit),薄型小尺寸封裝 (TSOP) /球形�(wǎng)格陣� (BGA),工�(yè)級溫��

    美光 (Micron) �

    同步動態(tài)存儲� (SDRAM) 64 兆比� - 512兆比�,x4 / x8 / x16 / x32 比特 (bit),薄型小尺寸封裝 (TSOP) /球形�(wǎng)格陣� (BGA),工�(yè)級溫��

    茂德科技 (Promos)�

    同步動態(tài)存儲� (SDRAM) 128 兆比� - 256兆比�,x8 / x16 比特 (bit), 薄型小尺寸封� (TSOP) /球形�(wǎng)格陣� (BGA), 工業(yè)級溫��

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    同步動態(tài)存儲� (SDRAM) 128 兆比� � 256 兆比�,x4 / x8 / x16 比特 (bit),薄型小尺寸封裝 (TSOP) /球形�(wǎng)格陣� (BGA)

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    同步動態(tài)存儲� (SDRAM) 64 兆比� - 512兆比�,x4 / x8 / x16 / x32 比特 (bit),薄型小尺寸封裝 (TSOP) ,工�(yè)級溫�

    4:移動雙倍數(shù)�(jù)速率 (Mobile DDR)

    移動雙倍數(shù)�(jù)速率 (Mobile DDR) 存儲器的存儲容量范圍� 64 兆比特到1 千兆比特??偩€帶寬:1.8V 工作電壓下x16 / x32 比特 (bit)。應(yīng)用領(lǐng)域: 所有移動設(shè)�,例如掃描儀,個人�(shù)碼助� (PDA)、移動數(shù)碼助� (MDA)、便攜式媒體播放� (PMP) 、移動電�、數(shù)碼相�(jī)� MP3 播放�...

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    移動雙倍數(shù)�(jù)速率 (Mobile DDR),即將上市!

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    5:移動同步動�(tài)存儲� (Mobile SDRAM)

    存儲組件�(yùn)行和待機(jī)電流非常低而容量卻很大�。移動同步動�(tài)存儲� (Mobile SDRAM) 可與傳統(tǒng)的同步動�(tài)存儲� (SDRAM) 兼容,非常適用于 移動通訊�(shè)�。工作電壓:3.3��2.5伏甚至低至與移動雙倍數(shù)�(jù)速率 (mobile DDR) 相同�1.8V同步動態(tài)存儲器使用較為節(jié)省空間的球形�(wǎng)格陣� (BGA) �(jìn)行封�,接觸區(qū)� 在其下面�

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    移動同步動態(tài)存儲� (Mobile SDRAM) 128 兆比� � 512 兆比�� x16 / x32 比特 (bit),球形網(wǎng)格陣� (BGA),3.3V/1.8V

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    移動同步動態(tài)存儲� (Mobile SDRAM) 64兆比� � 512 兆比�� x16 / x32 比特 (bit),球形網(wǎng)格陣� (BGA),1.8V

    奇夢�(dá) (Qimonda) 前身為英飛凌 (Infineon)�

    移動同步動態(tài)存儲� (Mobile SDRAM) 128 兆比� � 512 兆比�,x16 / x32 比特 (bit),球形網(wǎng)格陣� (BGA),3.3V/2.5V/1.8V

    三星 (Samsung)�

    移動同步動態(tài)存儲� (Mobile SDRAM) 64 兆比� � 512 兆比�,x16 / x32 比特 (bit),球形網(wǎng)格陣� (BGA),3.3V/2.5V/1.8V

    異步

    �(kuò)展數(shù)�(jù)輸出 (EDO) /快速頁面模� (FPM)

    �(kuò)展數(shù)�(jù)輸出動態(tài)存儲�/快速頁面模式動�(tài)存儲� (EDO / FPM DRAM)

    �(kuò)展數(shù)�(jù)輸出動態(tài)存儲� (EDO) 和快速頁面模式動�(tài)存儲� (FPM) 在價值上并沒有什么不同,但這無�(guān)于技�(shù)。它們的存儲容量同樣都從1 兆比特到 64 兆比� ,總線帶� x4 / x8 / x16 比特 (bit) 。我們可以提� 3.3V �5V TSOP (薄型小型封裝) 和SOJ (小型J形引�) 封裝。異步動�(tài)存儲器不再大量生�(chǎn),因�,價格較其它動態(tài)存儲器要高�

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    �(kuò)展數(shù)�(jù)輸出動態(tài)存儲� 4兆比� � 16 兆比特,x16 比特 (bit),小型外線式J形引� (SOJ) /薄型小尺寸封� (TSOP)� 3.3V�

�(yōu)缺點

    �(jīng)驗證,動�(tài)存儲器是采用超大容量的存儲技�(shù),但�,其存儲組件要求由處理器控制的刷新周期。它與靜�(tài)存儲器等其它存儲技�(shù)相比,耗電量相對較�。優(yōu)點: 跟其它類型的存儲器相�,每兆比特的價格��

�(yīng)用領(lǐng)�

    所有類型的計算�(jī)系統(tǒng)、移動電話等移動裝置、數(shù)�(jù)記錄�(shè)�、打印機(jī)、控制系�(tǒng)��

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