硬盤磁頭是硬盤讀取數(shù)�(jù)的關(guān)鍵部�,它的主要作用就是將存儲在硬�盤片上的磁信息轉(zhuǎn)化為電信號向外傳�。一般硬盤都�1-2�(gè)磁頭,但在提升單碟容量技�(shù)的發(fā)展遇阻時(shí),硬盤廠商就會以增加磁碟�(shù)來增加硬盤容�,這就需�2�(gè)以上的磁頭來操作了�
硬盤磁頭是硬盤讀取數(shù)�(jù)的關(guān)鍵部�,它的主要作用就是將存儲在硬盤盤片上的磁信息�(zhuǎn)化為電信號向外傳�。一般硬盤都�1-2�(gè)磁頭,但在提升單碟容量技�(shù)的發(fā)展遇阻時(shí),硬盤廠商就會以增加磁碟�(shù)來增加硬盤容量,這就需�2�(gè)以上的磁頭來操作��
磁頭�(shù)(Heads),磁頭的作用是將磁電�(jìn)行轉(zhuǎn)�,磁頭的成本占硬盤總成本�40%左右,如果單碟容量有所突破,那么磁頭的技�(shù)一定要�(fā)�。一般情況下一�(gè)盤片只有一�(gè)磁頭,不過最新的技�(shù)兩�(gè)磁頭可以同時(shí)讀取一�(gè)盤片�
在LBA模式�,可設(shè)置的最大磁頭數(shù)�255
薄膜感應(yīng)(TFI)磁頭
�1990年至1995年間,硬盤采用TFI讀/寫技�(shù)。TFI磁頭�(shí)際上是繞線的磁芯。盤片在繞線的磁芯下通過�(shí)會在磁頭上產(chǎn)生感�(yīng)電壓。TFI讀磁頭之所以會�(dá)到它的能力極�,是�?yàn)樵谔岣叽澎`敏度的同�(shí),它的寫能力卻減弱了�
各向異性磁�(AMR)磁頭
AMR(Anisotropic Magneto Resistive)90年代中期,希捷公司推出了使用AMR磁頭的硬�。AMR磁頭使用TFI磁頭來完成寫操作,但用薄條的磁性材料來作為讀元件。在有磁場存在的情況�,薄條的電阻會隨磁場而變�,�(jìn)而產(chǎn)生很�(qiáng)的信�。硬盤譯解由于磁場極性變化而引起的薄條電阻變化,提高了讀取靈敏度。AMR磁頭�(jìn)一步提高了面密�,而且減少了元器件�(shù)�。由于AMR薄膜的電阻變化量有一定的限度,AMR技�(shù)最大可以支�3.3GB/平方英寸的記錄密�,所以AMR磁頭的靈敏度也存在極�。這導(dǎo)致了GMR磁頭的研�(fā)�
GMR(Giant Magneto Resistive,巨磁阻)
GMR磁頭繼承了TFI磁頭和AMR磁頭中采用的讀/寫技�(shù)。但它的讀磁頭對于磁盤上的磁性變化表�(xiàn)出更高的靈敏度。GMR磁頭是由4層導(dǎo)電材料和磁性材料薄膜構(gòu)成的:一�(gè)傳感�、一�(gè)非導(dǎo)電中介層、一�(gè)磁性的栓層和一�(gè)交換�。GMR傳感器的靈敏度比AMR磁頭�3�,所以能夠提高盤片的密度和性能�
硬盤的磁頭數(shù)取決于硬盤中的碟片數(shù),盤片正反兩面都存儲著數(shù)�(jù),所以一�(gè)盤片對應(yīng)兩�(gè)磁頭才能正常工作。比如總?cè)�?0GB的硬�,采用單碟容�80GB的盤�,那只有一張盤�,該盤片正反面都有數(shù)�(jù),則對應(yīng)兩�(gè)磁頭;而同樣總?cè)�?20GB的硬�,采用二張盤�,則只有三�(gè)磁頭,其中一張盤片的一面沒有磁頭�