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SPN4412WS8RG 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/5/22 12:34:05 查看 閱讀：8

SPN4412WS8RG 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，專為高效率開關(guān)應(yīng)用設(shè)計(jì)。該芯片采用先進(jìn)的制造工藝，能夠提供較低的導(dǎo)通電阻和較高的電流承載能力，廣泛應(yīng)用于電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及各種工業(yè)電子設(shè)備中。
　　這款器件具有出色的熱性能和電氣特性，適用于需要高效能轉(zhuǎn)換和低功耗的應(yīng)用場(chǎng)景。此外，其封裝形式支持高效的散熱管理，并兼容多種標(biāo)準(zhǔn) PCB 設(shè)計(jì)。

參數(shù)

類型：MOSFET
　　封裝：WS8
　　最大漏源電壓（Vds）：45V
　　最大柵極驅(qū)動(dòng)電壓（Vgs）：±20V
　　連續(xù)漏極電流（Id）：120A
　　導(dǎo)通電阻（Rds(on)）：1.2mΩ
　　總功耗：150W
　　工作溫度范圍：-55℃ 至 +175℃
　　封裝材料：無(wú)鉛，符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)

特性

SPN4412WS8RG 的主要特性包括以下幾點(diǎn)：
　　1. 極低的導(dǎo)通電阻 (Rds(on))，可顯著降低傳導(dǎo)損耗，提高整體系統(tǒng)效率。
　　2. 支持高電流運(yùn)行，峰值電流可達(dá) 120A，適合大功率應(yīng)用場(chǎng)景。
　　3. 快速開關(guān)速度，有助于減少開關(guān)損耗并提升高頻下的性能。
　　4. 內(nèi)置反向恢復(fù)二極管，優(yōu)化了在同步整流和續(xù)流電路中的表現(xiàn)。
　　5. 強(qiáng)大的熱性能，允許更高的結(jié)溫操作，增強(qiáng)了可靠性。
　　6. 符合環(huán)保要求的無(wú)鉛封裝，便于現(xiàn)代綠色設(shè)計(jì)流程。
　　7. 小型化封裝，節(jié)省空間的同時(shí)保持良好的電氣和散熱性能。

應(yīng)用

SPN4412WS8RG 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
　　1. 開關(guān)電源 (SMPS) 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。
　　2. 電動(dòng)工具及家用電器中的電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制。
　　3. 汽車電子系統(tǒng)，例如電池管理系統(tǒng) (BMS) 和車載充電器。
　　4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模塊。
　　5. 高效 LED 照明驅(qū)動(dòng)電路。
　　6. 太陽(yáng)能逆變器和其他新能源相關(guān)設(shè)備。

替代型號(hào)

SPN4412WS6RG, IRFZ44N, FDP5570

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