FIR50N06LG 時(shí)間：2025/5/22 18:48:45 閱讀：10

FIR50N06LG是一款N溝道增強(qiáng)型MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管），由Fairchild Semiconductor（現(xiàn)為ON Semiconductor）生產(chǎn)。該器件設(shè)計(jì)用于需要高效率和低導(dǎo)通損耗的應(yīng)用場(chǎng)景，適用于開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、DC-DC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。
　　該芯片采用TO-220封裝形式，能夠提供較低的導(dǎo)通電阻以及較高的電流處理能力。由于其出色的電氣性能和可靠性，F(xiàn)IR50N06LG在工業(yè)控制、消費(fèi)電子和通信設(shè)備中得到廣泛應(yīng)用。

參數(shù)

最大漏源電壓Vds：60V
　　最大柵源電壓Vgs：±20V
　　最大漏極電流Id：50A
　　導(dǎo)通電阻Rds(on)：14mΩ（典型值，在Vgs=10V時(shí)）
　　功耗Pd：189W
　　工作溫度范圍Tj：-55℃至+175℃
　　封裝形式：TO-220

特性

FIR50N06LG具有以下主要特性：
　　1. 極低的導(dǎo)通電阻（Rds(on)），有助于降低功率損耗，提高系統(tǒng)效率。
　　2. 高電流承載能力（最大漏極電流可達(dá)50A），適合大功率應(yīng)用。
　　3. 快速開(kāi)關(guān)速度，可有效減少開(kāi)關(guān)損耗并提升整體性能。
　　4. 強(qiáng)大的熱穩(wěn)定性，能夠在較寬的工作溫度范圍內(nèi)可靠運(yùn)行。
　　5. TO-220封裝提供良好的散熱性能，便于安裝和使用。
　　6. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且安全。

應(yīng)用

FIR50N06LG廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
　　1. 開(kāi)關(guān)電源（SMPS）中的功率開(kāi)關(guān)。
　　2. DC-DC轉(zhuǎn)換器中的同步整流或主開(kāi)關(guān)。
　　3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路，用于控制直流電機(jī)或無(wú)刷電機(jī)。
　　4. 電池保護(hù)電路，用于防止過(guò)充或過(guò)放。
　　5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率管理模塊。
　　6. 消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品，例如充電器、適配器等。