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ZXMC3A16DN8 發(fā)布時間 時間�2025/5/8 1:09:36 查看 閱讀�25

ZXMC3A16DN8 是一款高性能、低功耗的 CMOS 工藝制造的靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM)。該芯片具有高速讀寫能�,適合需要快速數據訪問和處理的應用場�。其封裝形式為符合行�(yè)標準的小型化封裝,能夠有效節(jié)� PCB 空間�
  該器件采用單電源供電設計,簡化了系統(tǒng)設計復雜�,并且具備出色的抗干擾能�,能夠在廣泛的工�(yè)和商�(yè)應用中提供可靠的性能�

參數

容量�512K x 8 bits
  工作電壓�2.5V � 3.6V
  工作電流:最� 30mA
  待機電流:小� 1μA
  訪問時間:最� 10ns
  數據保持時間:無限期(在�(guī)定條件下�
  工作溫度范圍�-40°C � +85°C
  封裝形式:TSSOP-48

特�

ZXMC3A16DN8 具有以下顯著特性:
  1. 高速操作能力,支持高達 100MHz 的時鐘頻��
  2. 低功耗設�,非常適合對功耗敏感的應用�(huán)境�
  3. 數據�(wěn)定可�,無須刷新機制即可長期保存數��
  4. 支持全同步操作模�,便于與各種微處理器接口連接�
  5. 內置強大的數據保護功能,在掉電情況下確保數據完整��
  6. 封裝緊湊,引腳布局合理,方便進行高密度布板設��
  7. 提供全面的電氣保護措�,如過壓保護和靜電放電防護(ESD��

應用

ZXMC3A16DN8 廣泛應用于各類需要高性能 SRAM 的設備中,包括但不限于:
  1. 工業(yè)自動化控制設備中的緩存模��
  2. �(yī)療設備中的臨時數據存儲單元�
  3. 通信設備中的高速緩沖區(qū)�
  4. 圖形處理單元(GPU)或數字信號處理器(DSP)的外部擴展存儲�
  5. 嵌入式系�(tǒng)的程序運行內存區(qū)��
  6. 測試測量儀器中的實時數據記錄裝置�
  其出色的性能和可靠性使得該芯片成為許多高端應用的理想選��

替代型號

IS61LV25616, AS6C1008, CY62256

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