ZXMC3A16DN8 是一款高性能、低功耗的 CMOS 工藝制造的靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM)。該芯片具有高速讀寫能�,適合需要快速數據訪問和處理的應用場�。其封裝形式為符合行�(yè)標準的小型化封裝,能夠有效節(jié)� PCB 空間�
該器件采用單電源供電設計,簡化了系統(tǒng)設計復雜�,并且具備出色的抗干擾能�,能夠在廣泛的工�(yè)和商�(yè)應用中提供可靠的性能�
容量�512K x 8 bits
工作電壓�2.5V � 3.6V
工作電流:最� 30mA
待機電流:小� 1μA
訪問時間:最� 10ns
數據保持時間:無限期(在�(guī)定條件下�
工作溫度范圍�-40°C � +85°C
封裝形式:TSSOP-48
ZXMC3A16DN8 具有以下顯著特性:
1. 高速操作能力,支持高達 100MHz 的時鐘頻��
2. 低功耗設�,非常適合對功耗敏感的應用�(huán)境�
3. 數據�(wěn)定可�,無須刷新機制即可長期保存數��
4. 支持全同步操作模�,便于與各種微處理器接口連接�
5. 內置強大的數據保護功能,在掉電情況下確保數據完整��
6. 封裝緊湊,引腳布局合理,方便進行高密度布板設��
7. 提供全面的電氣保護措�,如過壓保護和靜電放電防護(ESD��
ZXMC3A16DN8 廣泛應用于各類需要高性能 SRAM 的設備中,包括但不限于:
1. 工業(yè)自動化控制設備中的緩存模��
2. �(yī)療設備中的臨時數據存儲單元�
3. 通信設備中的高速緩沖區(qū)�
4. 圖形處理單元(GPU)或數字信號處理器(DSP)的外部擴展存儲�
5. 嵌入式系�(tǒng)的程序運行內存區(qū)��
6. 測試測量儀器中的實時數據記錄裝置�
其出色的性能和可靠性使得該芯片成為許多高端應用的理想選��
IS61LV25616, AS6C1008, CY62256