SMQA2000T1G 是一款由 STMicroelectronics(意法半導(dǎo)體)生產(chǎn)的高功率 MOSFET,采用 TO-263 封裝。該器件主要設(shè)計(jì)用于開關(guān)電源、DC-DC 轉(zhuǎn)換器以及電機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用領(lǐng)域。其出色的電氣性能和可靠性使其成為工業(yè)和消費(fèi)電子領(lǐng)域的熱門選擇。
SMQA2000T1G 的核心特點(diǎn)在于其低導(dǎo)通電阻(Rds(on)),這可以有效降低功耗并提高系統(tǒng)效率。此外,它還具有較高的漏源電壓(Vds)和連續(xù)漏極電流(Id)能力,從而能夠勝任高電壓和大電流的應(yīng)用場(chǎng)景。
類型:MOSFET
封裝:TO-263
Vds(漏源電壓):200 V
Rds(on)(導(dǎo)通電阻):45 mΩ
Id(連續(xù)漏極電流):8.7 A
Vgs(th)(閾值電壓):2.1 V
f(工作頻率):高達(dá) 500 kHz
最大結(jié)溫:175 ℃
功耗:19.5 W
SMQA2000T1G 提供了多種優(yōu)異的性能表現(xiàn),使其在同類產(chǎn)品中脫穎而出。首先,其低 Rds(on) 值可以顯著減少導(dǎo)通時(shí)的損耗,這對(duì)于提升效率至關(guān)重要。其次,其較高的 Vds 和 Id 參數(shù)保證了其在高壓和大電流環(huán)境下的穩(wěn)定性。此外,SMQA2000T1G 還具備快速開關(guān)速度和較低的柵極電荷(Qg),從而減少了開關(guān)損耗。
從熱管理的角度來看,該器件的最大結(jié)溫可達(dá) 175 ℃,這為高溫環(huán)境下的應(yīng)用提供了保障。同時(shí),其封裝形式 TO-263 提供了良好的散熱性能,并且易于安裝在印刷電路板上。
最后,由于采用了先進(jìn)的制造工藝,SMQA2000T1G 在可靠性方面也表現(xiàn)出色,能夠滿足長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行的需求。
SMQA2000T1G 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)
2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器
3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)
4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備
5. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的電源管理
6. LED 驅(qū)動(dòng)器
7. 電池管理系統(tǒng)(BMS)
這些應(yīng)用場(chǎng)景都需要高效的功率轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的電流控制,而 SMQA2000T1G 憑借其優(yōu)異的電氣性能正好符合這些需求。
IRF540N
STP200NF7
FQP18N20C