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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > FDMS86300

FDMS86300 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/27 9:32:50 查看 閱讀�16

FDMS86300 是一款高性能� N 灃道通體 MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),由 Fairchild Semiconductor 生產(chǎn)。這款器件采用先�(jìn)的工藝制�,具有低�(dǎo)通電阻和高開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),非常適合用于高效能功率�(zhuǎn)換應(yīng)�,例� DC-DC �(zhuǎn)換器、同步整流電路和電機(jī)�(qū)�(dòng)�。該器件能夠顯著降低功耗并提高系統(tǒng)效率�

參數(shù)

型號(hào):FDMS86300
  類型:N 沖道通體 MOSFET
  封裝形式:SO-8
  最大漏源電� (VDS)�40 V
  最大柵源電� (VGS):�20 V
  連續(xù)漏極電流 (ID)�19 A
  �(dǎo)通電� (RDS(on))�2.5 mΩ (典型�,在 VGS = 10 V �(shí))
  總柵極電� (Qg)�30 nC
  輸入電容 (Ciss)�1780 pF
  反向傳輸電容 (Crss)�125 pF
  工作溫度范圍�-55°C � +150°C

特�

FDMS86300 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電� (RDS(on)),能夠在高電流應(yīng)用中減少傳導(dǎo)損��
  2. 快速開(kāi)�(guān)能力,支持高頻操作,從而提高整體系�(tǒng)效率�
  3. 高雪崩能量能力,增強(qiáng)了器件在異常條件下的魯棒��
  4. 緊湊� SO-8 封裝,適合空間受限的�(yīng)��
  5. 支持大電流連續(xù)�(yùn)�,適用于多種功率電子�(shè)�(jì)需求�
  6. 工作溫度范圍寬廣,可以在極端�(huán)境下保持�(wěn)定性能�

�(yīng)�

FDMS86300 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)電源 (SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器中的功率�(kāi)�(guān)�
  2. 同步整流電路中的高效整流元件�
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)器中的功率級(jí)控制�
  4. 工業(yè)�(shè)備中的負(fù)載切換和保護(hù)�
  5. 電池管理系統(tǒng)中的充放電控制�
  6. 其他需要低損耗和高效率功率管理的�(yīng)用場(chǎng)��

替代型號(hào)

FDMS86200, IRF7843, FDP5500

fdms86300推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

fdms86300資料 更多>

  • 型號(hào)
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fdms86300參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列PowerTrench®
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)80V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C19A
  • �(kāi)�(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C3.9 毫歐 @ 19A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)4.5V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs86nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds7082pF @ 40V
  • 功率 - 最�2.5W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-PowerTDFN
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�Power56
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱FDMS86300TR