QM04N60F是一種N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�、DC-DC�(zhuǎn)換器和其他需要高效功率切換的場合。該器件采用TO-252封裝,具有較低的�(dǎo)通電阻和較高的電流處理能�,同時具備良好的開關(guān)性能�
最大漏源電壓:600V
最大連續(xù)漏極電流�4.3A
最大脈沖漏極電流:13A
�(dǎo)通電阻:8.5Ω(典型值)
柵極閾值電壓:3V~6V
功耗:1.8W
工作溫度范圍�-55℃~150�
QM04N60F具有以下主要特性:
1. 高擊穿電壓:600V,適用于高壓�(huán)��
2. 低導(dǎo)通電阻:在額定條件下�8.5Ω,有助于減少傳導(dǎo)損��
3. 快速開�(guān)速度:優(yōu)化了柵極電荷�(shè)�,從而提高了效率�
4. 高雪崩能量能力:能夠承受瞬態(tài)過壓情況�
5. 小型化封裝:TO-252封裝節(jié)省空間,適合緊湊型設(shè)��
6. 熱穩(wěn)定性強(qiáng):能夠在-55℃到+150℃范圍內(nèi)可靠工作�
QM04N60F適用于以下應(yīng)用領(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率開�(guān)�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的高頻開關(guān)�
3. 電機(jī)�(qū)動電路中的功率控��
4. �(fù)載開�(guān)和保�(hù)電路�
5. 各類工業(yè)控制和家用電器中的功率管理模��
IRF640N
FDP014N10L
STP4NB60S