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IRLML5203TRPBF 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2024/7/1 16:19:55 查看 閱讀�310

IRLML5203TRPBF是一款N溝道MOSFET晶體管,它具有低電阻、高速開�(guān)、低電壓�(qū)�(dòng)等特�(diǎn),可以應(yīng)用于DC-DC�(zhuǎn)換器、電源管�、照明、電�(jī)�(qū)�(dòng)等領(lǐng)��
  IRLML5203TRPBF是一種N溝道MOSFET晶體�,由漏極、源�、門極三�(gè)電極組成。當(dāng)門極加正電壓時(shí),源極電壓高于漏極電�,MOSFET�(dǎo)通;門極斷開電壓時(shí),MOSFET�(guān)�。MOSFET的導(dǎo)通和�(guān)斷速度非常快,可以適用于高頻和高效率的電路�

基本�(jié)�(gòu)

IRLML5203TRPBF的基本結(jié)�(gòu)如下所示:
  1、柵極:由P型半�(dǎo)體材料構(gòu)�,控制電路的�(dǎo)通和�(guān)��
  2、源極:由N型半�(dǎo)體材料構(gòu)�,連接到電路的�(fù)��
  3、漏極:由N型半�(dǎo)體材料構(gòu)�,連接到電路的正極�
  4、金屬引線:連接到柵�、源極和漏極,連接到電路板��
  5、陶瓷基板:支撐金屬引線和MOSFET芯片,提供電氣隔��

參數(shù)

最大漏極電壓:30V
  最大漏極電流:3.7A
  典型電阻�0.028Ω
  典型門極電荷:4.3nC
  典型開啟�(shí)間:11ns
  典型�(guān)斷時(shí)間:17ns

特點(diǎn)

1、低電阻:IRLML5203TRPBF的典型電阻為0.028Ω,可以有效減少導(dǎo)通時(shí)的功耗和熱損��
  2、高速開�(guān):IRLML5203TRPBF的典型開啟時(shí)間為11ns,關(guān)斷時(shí)間為17ns,可以快速響�(yīng)電路信號(hào),提高系�(tǒng)效率�
  3、低電壓�(qū)�(dòng):IRLML5203TRPBF的門極電壓范圍為1.8V�5V,可以適�(yīng)低電壓微控制器的�(qū)�(dòng)需��
  4、緊湊封裝:IRLML5203TRPBF采用SOT-23封裝,體積小、重量輕,適合高密度PCB布局�

工作原理

IRLML5203TRPBF是一款N溝道MOSFET晶體管,它由漏極、源�、門極三�(gè)電極組成。當(dāng)門極加正電壓時(shí),形成PN�(jié),使得電子從源極流向漏極,實(shí)�(xiàn)�(dǎo)�。當(dāng)門極斷開電壓時(shí),PN�(jié)消失,電子停止流�(dòng),實(shí)�(xiàn)�(guān)��

�(yīng)�

IRLML5203TRPBF可以�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1、DC-DC�(zhuǎn)換器:IRLML5203TRPBF的低電阻和高速開�(guān)特點(diǎn),可以減少轉(zhuǎn)換器的功耗和熱損�,提高轉(zhuǎn)換效��
  2、電源管理:IRLML5203TRPBF的低電壓�(qū)�(dòng)特點(diǎn),可以適�(yīng)各種電源管理系統(tǒng)的需��
  3、照明:IRLML5203TRPBF的高速開�(guān)和緊湊封裝特�(diǎn),可以應(yīng)用于各種LED照明系統(tǒng)�
  4、電�(jī)�(qū)�(dòng):IRLML5203TRPBF的低電阻和高速開�(guān)特點(diǎn),可以提高電�(jī)�(qū)�(dòng)效率,減少能量損��

安裝要點(diǎn)

1、確定IRLML5203TRPBF的極性:IRLML5203TRPBF是一款N溝道MOSFET,需要注意其引腳的極性�
  2、選擇合適的散熱器:IRLML5203TRPBF的散熱器�(yīng)該選擇合適的尺寸和材�(zhì),以確保散熱效果�
  3、確保焊接質(zhì)量:IRLML5203TRPBF�(yīng)該焊接到PCB�,并確保焊接�(zhì)量良好,以避免因焊接不良�(dǎo)致的電路故障�
  4、避免靜電:在安裝過程中需要避免靜�,以避免�(duì)IRLML5203TRPBF造成損壞�
  5、保�(hù)IRLML5203TRPBF:在安裝過程中需要保�(hù)IRLML5203TRPBF,避免其受到�(jī)械損傷或化學(xué)腐蝕�

irlml5203trpbf推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

irlml5203trpbf資料 更多>

  • 型號(hào)
  • 描述
  • 品牌
  • 閱覽下載

irlml5203trpbf參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列HEXFET®
  • FET �MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C3A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C98 毫歐 @ 3A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)2.5V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs14nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds510pF @ 25V
  • 功率 - 最�1.25W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�Micro3?/SOT-23
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱IRLML5203TRPBF-NDIRLML5203TRPBFTR