LQG15HS1N5S02D 是一款由 Rohm(羅姆)公司生產(chǎn)的功� MOSFET 芯片,屬于溝槽型 MOSFET �(chǎn)品系�。該器件采用小型封裝�(shè)�(jì),適合用于高效能�(kāi)�(guān)�(yīng)用場(chǎng)�,例� DC-DC �(zhuǎn)換器、開(kāi)�(guān)電源以及�(fù)載開(kāi)�(guān)�。其出色的導(dǎo)通電阻和快速的�(kāi)�(guān)性能使其成為高性能功率�(zhuǎn)換的理想選擇�
這款 MOSFET 的核心優(yōu)�(shì)在于低導(dǎo)通電阻和�(yōu)化的柵極電荷特�,能夠有效降低功耗并提升整體系統(tǒng)效率。同�(shí),它還具備較高的雪崩耐量能力,確保在異常工作條件下的可靠��
�(lèi)型:N-Channel MOSFET
封裝:LFPAK8
最大漏源電�(Vds)�60V
最大柵源電�(Vgs):�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�15A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�1.5mΩ (典型�,Vgs=10V)
柵極電荷(Qg)�32nC (典型�)
輸入電容(Ciss)�1940pF (典型�)
輸出電容(Coss)�48pF (典型�)
反向傳輸電容(Crss)�28pF (典型�)
�(jié)溫范圍:-55� to +175�
LQG15HS1N5S02D 具備以下顯著特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,有助于減少�(dǎo)通損耗,從而提高效��
2. 高效的開(kāi)�(guān)性能,源于其較低的柵極電荷(Qg)和�(yōu)化的�(dòng)�(tài)特��
3. 小型化的 LFPAK8 封裝,節(jié)� PCB 空間且支持高功率密度的應(yīng)用�
4. 符合汽車(chē)�(jí)�(biāo)�(zhǔn)(AEC-Q101 �(rèn)證),適用于�(yán)苛環(huán)境下的功率管��
5. 提供�(yōu)秀的熱性能,便于散熱設(shè)�(jì)�
6. 在寬溫度范圍�(nèi)保持�(wěn)定的電氣性能,適合工�(yè)及汽�(chē)�(lǐng)域的各種�(yīng)用�
LQG15HS1N5S02D 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)模式電源(SMPS)和 DC-DC �(zhuǎn)換器中的功率�(kāi)�(guān)�
2. 汽車(chē)電子系統(tǒng)的負(fù)載開(kāi)�(guān)和電�(jī)�(qū)�(dòng)�
3. 工業(yè)�(shè)備中的逆變器和變頻器控��
4. 筆記本電腦適配器和其他消�(fèi)�(lèi)電子�(chǎn)品的電源管理系統(tǒng)�
5. 電池保護(hù)電路以及能量回收系統(tǒng)�
由于其高可靠性和低功耗特�(diǎn),該器件特別適合需要高效率和緊湊設(shè)�(jì)的場(chǎng)景�
LQG15HS1N5S02DS
LQG15HS1N5S02DK