LQP15MN3N9B02D是一款由羅姆(ROHM)生�(chǎn)的低�(dǎo)通電阻N溝道小型MOSFET,采用USP-6B封裝形式。該器件具有出色的開�(guān)性能和較低的�(dǎo)通電阻特�,適用于各種需要高效功率轉(zhuǎn)換和�(fù)載開�(guān)的應(yīng)用場(chǎng)��
此MOSFET的主要特�(diǎn)在于其超小尺寸設(shè)�(jì)和高效率表現(xiàn),非常適合便攜式電子�(shè)�、消�(fèi)類電子產(chǎn)品以及空間受限的�(yīng)用環(huán)��
最大漏源電壓:30V
最大連續(xù)漏電流:1.4A
�(dǎo)通電阻(典型值)�7.5mΩ
柵極閾值電壓:1.2V
總功耗:400mW
工作�(jié)溫范圍:-55� to 150�
封裝形式:USP-6B
LQP15MN3N9B02D擁有極低的導(dǎo)通電�,有助于減少功率損耗并提高整體系統(tǒng)效率。同�(shí),其小巧的封裝尺寸使得它成為節(jié)省PCB空間的理想選��
該MOSFET還具備快速開�(guān)速度,能夠在高頻�(yīng)用中提供�(wěn)定可靠的性能。此�,其良好的熱�(wěn)定性確保了在高溫環(huán)境下也能保持正常�(yùn)行�
其他主要�(yōu)�(shì)包括�
- 超低�(dǎo)通電阻以降低功�
- 高頻開關(guān)能力
- 小型化封�,適合緊湊型�(shè)�(jì)
- 較寬的工作溫度范�,適�(yīng)多種使用�(chǎng)�
- 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無�
這款MOSFET廣泛�(yīng)用于各種�(lǐng)�,如便攜式設(shè)備中的負(fù)載開�(guān)、DC/DC�(zhuǎn)換器、電池保�(hù)電路、LED�(qū)�(dòng)電路�。具體來說,它常被用在智能手�(jī)、平板電�、筆記本電腦適配�、藍(lán)牙設(shè)備以及其他需要高效功率管理的消費(fèi)類電子產(chǎn)品中�
由于其出色的電氣特性和緊湊的封�,LQP15MN3N9B02D也適用于工業(yè)控制、通信�(shè)備及汽車電子等領(lǐng)域的相關(guān)�(yīng)��
LQP15MN3N9B02C
LQP15MN3N9B02E