時(shí)間：2025/5/29 20:20:33
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NV1206B222K202CEGN是一款高性能的MOSFET功率晶體管，主要用于開關(guān)和功率管理應(yīng)用。該器件采用了先進(jìn)的半導(dǎo)體制造工藝，具備低導(dǎo)通電阻、高效率和優(yōu)異的熱性能，適合用于各種工業(yè)和消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的電源轉(zhuǎn)換和電機(jī)驅(qū)動(dòng)場景。
這款功率MOSFET具有增強(qiáng)型設(shè)計(jì)（Enhancement Mode），其工作原理是通過在柵極施加電壓來控制漏極和源極之間的電流流動(dòng)。它支持高頻開關(guān)操作，同時(shí)能夠承受較高的電壓和電流負(fù)荷。
型號(hào)：NV1206B222K202CEGN
類型：N-Channel MOSFET
最大漏源電壓(Vdss)：60V
最大柵源電壓(Vgs)：±20V
最大連續(xù)漏極電流(Id)：36A
導(dǎo)通電阻(Rds(on))：2.2mΩ（典型值，在Vgs=10V時(shí)）
總功耗(Ptot)：275W
結(jié)溫范圍(Tj)：-55°C 至 +175°C
封裝形式：TO-247-3
電容(Ciss)：1980pF（典型值）
切換頻率：高達(dá)1MHz
1. 極低的導(dǎo)通電阻Rds(on)，有助于減少傳導(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率。
2. 高雪崩能量能力，增強(qiáng)了器件在異常條件下的耐用性。
3. 支持快速開關(guān)，非常適合高頻DC-DC轉(zhuǎn)換器等應(yīng)用。
4. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保無鉛設(shè)計(jì)。
5. 內(nèi)置ESD保護(hù)電路，提高了產(chǎn)品的可靠性。
6. 可靠的熱性能，能夠在高溫環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行。
7. 緊湊且堅(jiān)固的TO-247封裝，便于散熱管理及安裝。
8. 廣泛的工作溫度范圍，適應(yīng)多種惡劣環(huán)境。
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開關(guān)或同步整流元件。
2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中的功率級(jí)組件。
3. DC-DC轉(zhuǎn)換器和逆變器的核心功率處理單元。
4. 太陽能微逆變器和其他可再生能源設(shè)備中的功率調(diào)節(jié)模塊。
5. 工業(yè)自動(dòng)化和汽車電子領(lǐng)域的負(fù)載切換和保護(hù)電路。
6. 各種電池管理系統(tǒng)(BMS)中作為充放電控制開關(guān)使用。
IRFZ44N, SI4873DY, FDP5500
