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IPB47N10S-33 發(fā)布時間 時間�2025/5/20 19:00:47 查看 閱讀�20

IPB47N10S-33 是一� N 溝道功率 MOSFET,屬� Infineon 的產(chǎn)品系�。該器件采用先進的半導體制造工藝設(shè)�,具有低導通電�、高開關(guān)速度和出色的熱性能,非常適合用于開�(guān)電源、電機驅(qū)�、逆變器和其他高效能應(yīng)用中。其封裝形式� TO-252 (DPAK),有助于提高散熱效率并簡� PCB 布局�

參數(shù)

最大漏源電壓:100V
  連續(xù)漏極電流�4.9A
  導通電阻(典型值)�33mΩ
  柵極電荷(典型值)�3nC
  開關(guān)速度:快�
  工作�(jié)溫范圍:-55� � +150�

特�

IPB47N10S-33 的主要特點是其低導通電�,這有助于降低傳導損耗并提升整體系統(tǒng)效率。此�,該器件的柵極電荷較小,從而減少了�(qū)動功�,適合高頻開�(guān)�(yīng)用場��
  其封� TO-252 提供了良好的機械�(wěn)定性和散熱能力,同時占用較少的 PCB 空間。器件還具有較強的雪崩能量承受能力,增強了系�(tǒng)的可靠性和耐用��

�(yīng)�

IPB47N10S-33 廣泛�(yīng)用于多種�(lǐng)域,包括但不限于以下�
  1. 開關(guān)模式電源 (SMPS) 中的同步整流��
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器中的主開�(guān)或續(xù)流二極管替代�
  3. 電池管理系統(tǒng) (BMS) 中的負載開關(guān)�
  4. 小型電機�(qū)動電��
  5. LED �(qū)動器和照明控制�
  6. 各種工業(yè)自動化設(shè)備中的功率控制模��

替代型號

IPP047N10N3G, IRF540N, FDP18N10

ipb47n10s-33推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

ipb47n10s-33參數(shù)

  • �(shù)�(jù)列表IPx47N10S-33
  • 標準包裝1,000
  • 類別分離式半導體�(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列SIPMOS®
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點標準�
  • 漏極至源極電�(Vdss)100V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C47A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C33 毫歐 @ 33A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)4V @ 2mA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs105nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds2500pF @ 25V
  • 功率 - 最�175W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-263-3,D²Pak�2 引線+接片�,TO-263AB
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�PG-TO263-3
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱IPB47N10S-33-NDIPB47N10S-33TRSP000225702