IPB47N10S-33 是一� N 溝道功率 MOSFET,屬� Infineon 的產(chǎn)品系�。該器件采用先進的半導體制造工藝設(shè)�,具有低導通電�、高開關(guān)速度和出色的熱性能,非常適合用于開�(guān)電源、電機驅(qū)�、逆變器和其他高效能應(yīng)用中。其封裝形式� TO-252 (DPAK),有助于提高散熱效率并簡� PCB 布局�
最大漏源電壓:100V
連續(xù)漏極電流�4.9A
導通電阻(典型值)�33mΩ
柵極電荷(典型值)�3nC
開關(guān)速度:快�
工作�(jié)溫范圍:-55� � +150�
IPB47N10S-33 的主要特點是其低導通電�,這有助于降低傳導損耗并提升整體系統(tǒng)效率。此�,該器件的柵極電荷較小,從而減少了�(qū)動功�,適合高頻開�(guān)�(yīng)用場��
其封� TO-252 提供了良好的機械�(wěn)定性和散熱能力,同時占用較少的 PCB 空間。器件還具有較強的雪崩能量承受能力,增強了系�(tǒng)的可靠性和耐用��
IPB47N10S-33 廣泛�(yīng)用于多種�(lǐng)域,包括但不限于以下�
1. 開關(guān)模式電源 (SMPS) 中的同步整流��
2. DC-DC �(zhuǎn)換器中的主開�(guān)或續(xù)流二極管替代�
3. 電池管理系統(tǒng) (BMS) 中的負載開關(guān)�
4. 小型電機�(qū)動電��
5. LED �(qū)動器和照明控制�
6. 各種工業(yè)自動化設(shè)備中的功率控制模��
IPP047N10N3G, IRF540N, FDP18N10