工作頻率范圍：DC至40GHz
　　插入損耗：≤0.8dB（典型值）
　　隔離度：≥35dB（典型值）
　　回波損耗：≥20dB
　　電源電壓：-5V 至 +5V
　　靜態(tài)電流：≤10mA
　　封裝形式：CSP（芯片級(jí)封裝）

這款芯片具備卓越的射頻性能，在高頻段表現(xiàn)出極低的插入損耗和高隔離度，可顯著提升系統(tǒng)的信噪比和抗干擾能力。
　　此外，它支持雙極性供電模式，便于與不同類型的電路兼容。
　　其緊湊型封裝進(jìn)一步優(yōu)化了 PCB 布局設(shè)計(jì)，減少了寄生效應(yīng)的影響。
　　該器件還具有快速開關(guān)速度，適合需要實(shí)時(shí)信號(hào)處理的應(yīng)用場(chǎng)景。
　　最后，其可靠性經(jīng)過(guò)嚴(yán)格測(cè)試，能夠在惡劣環(huán)境下長(zhǎng)期穩(wěn)定工作。

GA1206Y332MXCBR31G 芯片廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
　　1. 無(wú)線通信基礎(chǔ)設(shè)施，如基站收發(fā)器和中繼設(shè)備；
　　2. 軍用及民用雷達(dá)系統(tǒng)中的信號(hào)控制模塊；
　　3. 高速數(shù)據(jù)鏈路中的信號(hào)切換功能；
　　4. 現(xiàn)代測(cè)試與測(cè)量?jī)x器中的多路復(fù)用器設(shè)計(jì)；
　　5. 衛(wèi)星通信終端和其他高頻電子系統(tǒng)。

GA1206Y332MXCBR32G, GA1208Y332MXCBR31G