類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)�
家庭:MOSFET,GaNFET - �
系列:HEXFET?
類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)�
家庭:MOSFET,GaNFET - �
系列:HEXFET?
FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn):標(biāo)�(zhǔn)�
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C�9 毫歐 @ 60A, 10V
漏極至源極電�(Vdss)�40V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C�100A
Id �(shí)� Vgs(th)(最大)�4V @ 250μA
閘電�(Qg) @ Vgs�93nC @ 10V
� Vds �(shí)的輸入電�(Ciss) �2900pF @ 25V
功率 - 最大:170W
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-220-3 (直引�)
包裝:管�
供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220AB
其它名稱�*IRF1104PBF
廠商 |
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Infineon / IR |