EVM3GSX50B33是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高效率功率�(zhuǎn)換模塊,主要用于電源管理和功率變換場(chǎng)�。該模塊采用了先�(jìn)的GaN晶體管技�(shù),具有高頻開�(guān)能力、低�(dǎo)通電阻和高耐壓性能,能夠顯著提高電源系�(tǒng)的效率并減小系統(tǒng)體積�
該模塊通常�(yīng)用于工業(yè)�(jí)電源、通信�(shè)�、服�(wù)器電源以及新能源汽車等領(lǐng)域,支持高頻率工�,從而降低磁性元件的尺寸和重量,同時(shí)保持高效的功率傳��
型號(hào):EVM3GSX50B33
額定電壓�600 V
額定電流�33 A
�(dǎo)通電阻:12 mΩ
開關(guān)頻率:最高可�(dá)2 MHz
封裝形式:表面貼�
工作溫度范圍�-40°C � +125°C
輸入電容�3.5 nF
漏源極電荷量�90 nC
柵極�(qū)�(dòng)電壓�4.5 V � 6 V
EVM3GSX50B33的核心優(yōu)�(shì)在于其使用了高性能的氮化鎵�(chǎng)效應(yīng)晶體管(GaN FET),使得其在高頻工作�(shí)展現(xiàn)出優(yōu)異的效率和散熱表�(xiàn)�
主要特點(diǎn)包括�
- 高頻開關(guān)能力:由于GaN材料的物理特�,該模塊可以以高�(dá)2 MHz的頻率運(yùn)�,這比傳統(tǒng)的硅基MOSFET高出許多��
- 低導(dǎo)通電阻:12 mΩ的低�(dǎo)通電阻減少了�(dǎo)通損耗,提高了整體效��
- 快速開�(guān)速度:極短的開關(guān)�(shí)間降低了開關(guān)損�,�(jìn)一步提升了效率�
- 熱性能�(yōu)越:GaN技�(shù)�(jié)合優(yōu)化的封裝�(shè)�(jì),使模塊能夠在高溫環(huán)境下�(wěn)定運(yùn)��
- 小型化設(shè)�(jì):由于高頻操作和低損耗,允許使用更小的電感和電容組件,從而縮小整體系�(tǒng)尺寸�
EVM3GSX50B33適用于多種高要求的功率電子應(yīng)用場(chǎng)�,包括但不限于以下領(lǐng)域:
- 工業(yè)電源:用于制造工廠中的高效AC-DC或DC-DC�(zhuǎn)換器�
- �(shù)�(jù)中心和服�(wù)器電源:提供更高效率的供電解決方�,減少能源消��
- 新能源汽車:用于車載充電器(OBC)、DC-DC�(zhuǎn)換器和逆變器等�(guān)鍵部��
- 通信�(shè)備:為基站和路由器提供緊湊、高效的電源管理方案�
- 太陽(yáng)能逆變器:幫助�(shí)�(xiàn)更高的能量轉(zhuǎn)換效率,并支持快速動(dòng)�(tài)響應(yīng)�
EVM3GSX50B50
EVM3GSX65B33