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DTC114EUAT106 發(fā)布時間 時間�2025/5/19 9:02:31 查看 閱讀�16

DTC114EUAT106 是一款高性能的功率MOSFET晶體�,采用先進的制程工藝制造,主要應用于高效率電源轉換、電機驅動以及開關電路等領域。該器件具有低導通電�、快速開關速度和出色的熱性能,能夠有效提升系�(tǒng)的整體效能和可靠��
  此型號屬� DTC 系列,專為中高功率應用設�,能夠在嚴苛的工作條件下保持�(wěn)定運��

參數

最大漏源電壓:100V
  連續(xù)漏極電流�30A
  導通電阻:2.5mΩ
  柵極電荷�65nC
  開關時間(開�/關閉):10ns/15ns
  工作結溫范圍�-55℃至+175�

特�

DTC114EUAT106 的關鍵特性包括:
  1. 極低的導通電�,有助于減少功率損耗并提高系統(tǒng)效率�
  2. 快速開關速度,適合高頻應用環(huán)��
  3. 高電流承載能�,可滿足大功率需求�
  4. �(yōu)異的熱穩(wěn)定�,保證在高溫條件下長期可靠運��
  5. 符合 RoHS 標準,綠色環(huán)��
  6. 耐雪崩能力強,增強在異常條件下的保護功能�

應用

該芯片適用于以下場景�
  1. 開關電源 (SMPS) � DC-DC 轉換��
  2. 電動工具及家用電器中的電機驅��
  3. 工業(yè)自動化設備中的負載切換�
  4. 太陽能逆變器和電動汽車的電池管理系�(tǒng)�
  5. 各種需要高效功率轉換的應用領域�

替代型號

DTC114EUAH106, IRF840, FQP50N06L

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dtc114euat106參數

  • 標準包裝3,000
  • 類別分離式半導體產品
  • 家庭晶體�(BJT) - 單路﹐預偏壓�
  • 系列-
  • 晶體管類�NPN - 預偏�
  • 電流 - 集電� (Ic)(最大)50mA
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)50V
  • 電阻� - 基極 (R1)(歐�10k
  • 電阻� - �(fā)射極 (R2)(歐�10k
  • 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增� (hFE)30 @ 5mA�5V
  • Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大)300mV @ 500µA�10mA
  • 電流 - 集電極截止(最大)-
  • 頻率 - 轉換250MHz
  • 功率 - 最�200mW
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼SC-70,SOT-323
  • 供應商設備封�UMT3
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱DTC114EUAT106TR