HPA800R450PD-G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于電源管�、電�(jī)�(qū)�(dòng)和負(fù)載開�(guān)等應(yīng)用。該器件采用先�(jìn)的制程工藝制�,具備高效率和低�(dǎo)通電阻的特點(diǎn),能夠顯著降低功耗并提高系統(tǒng)性能�
該型�(hào)屬于高壓功率MOSFET系列,支持高電壓工作�(huán)�,同�(shí)�(yōu)化了�(dòng)�(tài)特性以滿足快速開�(guān)的需�。其封裝形式通常為行�(yè)�(biāo)�(zhǔn)的表面貼裝類�,便于自�(dòng)化生�(chǎn)和散熱管��
最大漏源電壓:450V
連續(xù)漏極電流�8A
�(dǎo)通電阻(典型值)�0.12Ω
柵極電荷�35nC
開關(guān)速度:快�
封裝類型:TO-220FP
HPA800R450PD-G 的主要特�(diǎn)是其在高電壓下的�(wěn)定性和較低的導(dǎo)通電�,這使得它非常適合需要高效功率轉(zhuǎn)換的�(yīng)用場(chǎng)景�
1. 高耐壓能力:能夠承受高�(dá)450V的工作電�,適用于各種工業(yè)�(jí)和汽車級(jí)電路�
2. 低導(dǎo)通電阻:典型值僅�0.12Ω,在大電流條件下顯著減少功率損��
3. 快速開�(guān)性能:具有較低的柵極電荷和輸出電�,從而實(shí)�(xiàn)更高效的開關(guān)操作�
4. 熱穩(wěn)定性強(qiáng):通過(guò)�(yōu)化的封裝�(shè)�(jì),保證在高溫�(huán)境下仍能保持良好的性能�
5. 高可靠性:�(jīng)�(guò)�(yán)格測(cè)�,符合多�(xiàng)�(guó)際質(zhì)量認(rèn)證標(biāo)�(zhǔn)�
這款功率MOSFET廣泛�(yīng)用于多種電力電子�(shè)備中,包括但不限于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路
4. 工業(yè)控制與保�(hù)電路
5. 汽車電子系統(tǒng)中的�(fù)載切�
6. 太陽(yáng)能逆變器和其他可再生能源相�(guān)�(shè)�
由于其出色的電氣特性和熱性能,HPA800R450PD-G 成為了許多高性能功率�(zhuǎn)換應(yīng)用的理想選擇�
IPW80R450PFD,
STP80NF45,
FDP8875