Si2343DDS-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生產(chǎn)� N 溝道增強型功� MOSFET。該器件采用 TrenchFET? 第三代技�,具有超低導通電阻和高開關速度的特性,適用于各種高效能開關應用。其封裝形式為小型化的表面貼� SO-8 封裝,能夠提供出色的熱性能與電氣性能�
該型號特別適合在需要高效率、低損耗的應用場景中使�,例� DC/DC �(zhuǎn)換器、負載點�(zhuǎn)換、電池供電設備以及電機控制等�
最大漏源電壓:30V
連續(xù)漏極電流�9.6A
導通電阻(Rds(on)):4.5mΩ(典型值,� Vgs=10V 時)
柵極電荷�14nC(典型值)
輸入電容�1170pF(典型值)
工作�(jié)溫范圍:-55°C � +175°C
封裝類型:SO-8
Si2343DDS-T1-GE3 的主要特性包括:
1. 極低的導通電�,可顯著降低導通損�,提升系�(tǒng)效率�
2. 高速開關能�,能夠有效減少開關損��
3. 第三� TrenchFET 技術確保了卓越的性能表現(xiàn),同時減小了芯片尺寸�
4. 熱增強型 SO-8 封裝設計,提供優(yōu)異的散熱性能�
5. 寬廣的工作溫度范圍,使其適用于嚴苛環(huán)境下的應��
6. 符合 RoHS 標準,環(huán)保無鉛工藝制��
這款功率 MOSFET 廣泛應用于以下領域:
1. 開關模式電源(SMPS)中的同步整流�
2. DC/DC �(zhuǎn)換器及降�-升壓�(zhuǎn)換器�
3. 電池管理與保護電路�
4. 各種消費類電子產(chǎn)品的負載開關�
5. 通信設備中的信號切換�
6. 電機�(qū)動與控制�
7. 固態(tài)繼電器以及其他需要高性能功率開關的應用場��
Si2304DS, Si2306DS, IRF7832