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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > SI2343DDS-T1-GE3

SI2343DDS-T1-GE3 發(fā)布時間 時間�2025/5/30 14:19:40 查看 閱讀�17

Si2343DDS-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生產(chǎn)� N 溝道增強型功� MOSFET。該器件采用 TrenchFET? 第三代技�,具有超低導通電阻和高開關速度的特性,適用于各種高效能開關應用。其封裝形式為小型化的表面貼� SO-8 封裝,能夠提供出色的熱性能與電氣性能�
  該型號特別適合在需要高效率、低損耗的應用場景中使�,例� DC/DC �(zhuǎn)換器、負載點�(zhuǎn)換、電池供電設備以及電機控制等�

參數(shù)

最大漏源電壓:30V
  連續(xù)漏極電流�9.6A
  導通電阻(Rds(on)):4.5mΩ(典型值,� Vgs=10V 時)
  柵極電荷�14nC(典型值)
  輸入電容�1170pF(典型值)
  工作�(jié)溫范圍:-55°C � +175°C
  封裝類型:SO-8

特�

Si2343DDS-T1-GE3 的主要特性包括:
  1. 極低的導通電�,可顯著降低導通損�,提升系�(tǒng)效率�
  2. 高速開關能�,能夠有效減少開關損��
  3. 第三� TrenchFET 技術確保了卓越的性能表現(xiàn),同時減小了芯片尺寸�
  4. 熱增強型 SO-8 封裝設計,提供優(yōu)異的散熱性能�
  5. 寬廣的工作溫度范圍,使其適用于嚴苛環(huán)境下的應��
  6. 符合 RoHS 標準,環(huán)保無鉛工藝制��

應用

這款功率 MOSFET 廣泛應用于以下領域:
  1. 開關模式電源(SMPS)中的同步整流�
  2. DC/DC �(zhuǎn)換器及降�-升壓�(zhuǎn)換器�
  3. 電池管理與保護電路�
  4. 各種消費類電子產(chǎn)品的負載開關�
  5. 通信設備中的信號切換�
  6. 電機�(qū)動與控制�
  7. 固態(tài)繼電器以及其他需要高性能功率開關的應用場��

替代型號

Si2304DS, Si2306DS, IRF7832

si2343dds-t1-ge3推薦供應� 更多>

  • �(chǎn)品型�
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