CBP7.1T是一種高性能的功率MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電機驅(qū)�、逆變器以及其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的場景。該器件采用TO-252封裝,具有低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�,能夠有效降低功耗并提高系統(tǒng)效率�
最大漏源電壓:70V
最大連續(xù)漏極電流�6.8A
最大柵極源極電壓:±20V
�(dǎo)通電阻:0.12Ω
總功耗:39W
工作溫度范圍�-55℃至150�
CBP7.1T具備以下主要特性:
1. 極低的導(dǎo)通電�,有助于減少�(dǎo)通損�,提高整體效率�
2. 快速開�(guān)特�,適合高頻應(yīng)��
3. 高雪崩能量能�,增強了器件在異常情況下的魯棒��
4. 小型化封裝設(shè)�,便于PCB布局和散熱管��
5. 符合RoHS標準,環(huán)保且滿足國際法規(guī)要求�
CBP7.1T適用于多種功率電子領(lǐng)域,包括但不限于�
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率開�(guān)�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器的核心元件�
3. 電池管理系統(tǒng)中的負載切換�
4. 電機�(qū)動電路中的功率控��
5. LED照明�(qū)動中的功率調(diào)節(jié)組件�
6. 各種工業(yè)自動化設(shè)備中的功率管理部��
IRFZ44N
STP75NF06L
FDP5500
AO3400