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IKW15N120T2 發(fā)布時間 時間�2025/5/8 19:32:09 查看 閱讀�21

IKW15N120T2是英飛凌(Infineon)推出的一款N溝道增強型MOSFET(金屬氧化物半導體場效應(yīng)晶體管)。該器件采用TO-247封裝形式,適用于高電�、大功率的應(yīng)用場�。其最大耐壓�1200V,持�(xù)漏極電流�15A,具有低導通電阻和快速開�(guān)特性,非常適合于硬開關(guān)和軟開關(guān)拓撲�(jié)�(gòu)的電力電子應(yīng)��
  該芯片廣泛應(yīng)用于工業(yè)電源、太陽能逆變器、不間斷電源(UPS�、電機驅(qū)動以及電動汽車等�(lǐng)域�

參數(shù)

最大漏源電壓:1200V
  最大連續(xù)漏極電流�15A
  最大柵極源極電壓:±20V
  導通電阻(典型�,在Vgs=15V時)�1.3Ω
  總功耗:260W
  �(jié)溫范圍:-55℃至+175�
  開關(guān)速度:快速恢�
  封裝形式:TO-247

特�

IKW15N120T2是一款專為高壓應(yīng)用設(shè)計的MOSFET,具有以下顯著特點:
  1. 高耐壓能力:其1200V的額定漏源電壓使其能夠承受高電壓�(huán)�,適用于各種工業(yè)級和新能源領(lǐng)域的�(yīng)用場��
  2. 快速開�(guān)性能:由于采用了先進的硅技�(shù),該器件在高頻工作條件下表現(xiàn)出卓越的開關(guān)效率和較低的能量損��
  3. 低導通電阻:�15V的柵極驅(qū)動電壓下,其導通電阻僅�1.3Ω,從而降低了傳導損耗并提高了整體系�(tǒng)效率�
  4. 熱穩(wěn)定性:該器件能夠在高達175℃的�(jié)溫下�(wěn)定運�,這使其非常適用于高溫�(huán)境中的應(yīng)用�
  5. 封裝可靠性:TO-247封裝提供了良好的散熱特性和機械強度,確保了器件在惡劣條件下的長期可靠��

�(yīng)�

IKW15N120T2適用于多種高電壓和大功率的應(yīng)用場�,包括但不限于以下領(lǐng)域:
  1. 工業(yè)電源:用于開�(guān)電源、直�-直流�(zhuǎn)換器等�
  2. 太陽能逆變器:在光伏系�(tǒng)中用作功率開�(guān),實�(xiàn)高效的能量轉(zhuǎn)換�
  3. 不間斷電源(UPS):提供可靠的備用電源解決方��
  4. 電機�(qū)動:控制大功率電機的運行狀�(tài)�
  5. 電動汽車:用于車載充電器、DC/DC變換器以及牽引逆變器等�(guān)鍵部��
  6. 照明系統(tǒng):如高強度氣體放電燈(HID)和LED路燈的驅(qū)動電��

替代型號

IKW15N120T2L, IKW15N120E2

ikw15n120t2推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

ikw15n120t2參數(shù)

  • �(shù)�(jù)列表IKW15N120T2
  • 標準包裝240
  • 類別分離式半導體�(chǎn)�
  • 家庭IGBT - 單路
  • 系列TrenchStop™
  • IGBT 類型溝道
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)1200V
  • Vge, Ic時的最大Vce(開�2.2V @ 15V�15A
  • 電流 - 集電� (Ic)(最大)30A
  • 功率 - 最�235W
  • 輸入類型標準�
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-247-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�PG-TO247-3
  • 包裝管件
  • 其它名稱SP000244961