GA1206A150KXCBP31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,廣泛應(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)等領(lǐng)�。該芯片采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和高開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),能夠顯著提升電路效率并降低能��
這款 MOSFET 屬于 N 溝道增強(qiáng)型器�,適用于高電流和高頻率的�(yīng)用場(chǎng)�。其封裝形式�(jīng)�(guò)�(yōu)化設(shè)�(jì),可確保良好的散熱性能和電氣連接可靠��
型號(hào):GA1206A150KXCBP31G
�(lèi)型:N 溝道 MOSFET
Vds(漏源極擊穿電壓):600V
Rds(on)(導(dǎo)通電阻)�150mΩ
Id(連續(xù)漏極電流):31A
Qg(柵極電荷)�58nC
FBS(快速體二極管正向壓降)�1.3V
�(jié)溫范圍:-55� � +175�
封裝形式:TO-247
GA1206A150KXCBP31G 具有以下主要特性:
1. 高耐壓能力:Vds 高達(dá) 600V,適用于高壓工作�(huán)境�
2. 極低的導(dǎo)通電阻:Rds(on) 僅為 150mΩ,大幅減少導(dǎo)通損��
3. 快速開(kāi)�(guān)性能:低 Qg 和快速體二極管使得器件在高頻�(yīng)用中表現(xiàn)�(yōu)異�
4. 高電流承載能力:連續(xù)漏極電流高達(dá) 31A,滿(mǎn)足大功率�(yīng)用需��
5. 寬工作溫度范圍:支持� -55� � +1適應(yīng)各種�(yán)苛的工作條件�
6. �(wěn)定性和可靠性:�(jīng)�(guò)�(yán)格的�(zhì)量控制流程,確保�(zhǎng)�(shí)間運(yùn)行的�(wěn)定��
GA1206A150KXCBP31G 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS):用于 AC-DC � DC-DC �(zhuǎn)換器�,提供高效的功率�(zhuǎn)��
2. 電機(jī)�(qū)�(dòng):適用于�(wú)刷直流電�(jī)(BLDC)和其他�(lèi)型的電機(jī)�(qū)�(dòng)�(yīng)��
3. 太陽(yáng)能逆變器:作為功率�(jí)�(kāi)�(guān)元件,實(shí)�(xiàn)高效能量�(zhuǎn)��
4. 電動(dòng)�(chē)和混合動(dòng)力汽�(chē):用于車(chē)載充電器、DC-DC �(zhuǎn)換器以及牽引逆變器等�
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備:包括伺服�(qū)�(dòng)�、PLC 和其他工�(yè)控制系統(tǒng)�
6. LED �(qū)�(dòng)器:為大功率 LED 提供�(wěn)定可靠的�(qū)�(dòng)方案�
GA1206A150KXCBP30G, IRFP460, STW98N60M2