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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > 2N7002KDW_R1_00001

2N7002KDW_R1_00001 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/28 14:30:27 查看 閱讀�34

2N7002KDW 是一� N 溝道增強(qiáng)型小信號 MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)。它廣泛�(yīng)用于各種低功率開�(guān)和放大電路中�2N7002KDW 特別適合于需要高頻率、快速切換的場景,例如音頻設(shè)�、計(jì)算機(jī)外設(shè)以及通信�(shè)備等�
  該器件屬� Vishay Siliconix 系列,具有極低的柵極電荷和輸入電�,確保其在高頻下的出色表�(xiàn)。它的封裝形式為 SOT-23 小型表面貼裝,非常適合用于空間受限的�(shè)�(jì)�

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  最大柵源電壓:±20V
  連續(xù)漏極電流�300mA
  脈沖漏極電流�1.1A
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):1.8Ω(典型�,當(dāng) Vgs=10V �(shí)�
  功耗:400mW
  工作�(jié)溫范圍:-55� � +150�

特�

2N7002KDW 的主要特�(diǎn)包括�
  1. 高速開�(guān)性能,適用于高頻�(yīng)用�
  2. 極低的柵極電荷和輸入電容,使得驅(qū)動更容易�
  3. 具備反向傳輸電容 (Crss) 低的特點(diǎn),有助于減少開關(guān)損耗�
  4. 工作溫度范圍寬廣,能夠在惡劣�(huán)境下�(wěn)定運(yùn)行�
  5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無鉛設(shè)�(jì)�
  6. 封裝小巧,易于集成到緊湊型設(shè)�(jì)��

�(yīng)�

該型號的 MOSFET 在以下領(lǐng)域有著廣泛的�(yīng)用:
  1. 開關(guān)電源中的同步整流��
  2. 便攜式電子設(shè)備中的負(fù)載開�(guān)�
  3. 電池保護(hù)電路中的過流保護(hù)�
  4. 各種邏輯電平兼容的數(shù)字控制電��
  5. 脈寬�(diào)制(PWM)驅(qū)動電��
  6. �(shù)�(jù)通信接口保護(hù)與控��
  7. 音頻�(shè)備中的靜音電路或信號切換電路�

替代型號

2N7002, BSS138, BS170

2n7002kdw_r1_00001推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價(jià)

2n7002kdw_r1_00001參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�8,865�(xiàn)�
  • �(jià)�1 : �1.99000剪切帶(CT�3,000 : �0.34558卷帶(TR�
  • 系列-
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 技�(shù)MOSFET(金屬氧化物�
  • 配置2 N-通道(雙�
  • FET 功能-
  • 漏源電壓(Vdss�60V
  • 25°C �(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)115mA(Ta�
  • 不同 Id、Vgs �(shí)�(dǎo)通電阻(最大值)3 歐姆 @ 500mA�10V
  • 不同 Id �(shí) Vgs(th)(最大值)2.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs �(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值)0.8nC @ 4.5V
  • 不同 Vds �(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值)35pF @ 25V
  • 功率 - 最大�200mW(Ta�
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C(TJ�
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 封裝/外殼6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 供應(yīng)商器件封�SOT-363