Q67100-Q2366是一款高性能的功率MOSFET芯片,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)動和逆變器等場景。該芯片采用了先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻、高擊穿電壓和快速開�(guān)速度等特�(diǎn),能夠顯著提高電路效率并降低功耗�
該器件屬于N溝道增強(qiáng)型MOSFET,其�(shè)計優(yōu)化了動態(tài)性能和熱�(wěn)定�,適用于需要高效能量轉(zhuǎn)換的�(yīng)用環(huán)��
最大漏源電壓:650V
連續(xù)漏極電流�16A
�(dǎo)通電阻:0.08Ω
柵極電荷�45nC
開關(guān)時間:開啟時間:45ns,關(guān)閉時間:25ns5℃至175�
1. 高耐壓能力,最高可�(dá)650V,適用于高壓�(yīng)用環(huán)境�
2. 極低的導(dǎo)通電�,僅�0.08Ω,有效降低了�(dǎo)通損耗�
3. 快速開�(guān)速度,有助于減少開關(guān)損耗,提高系統(tǒng)效率�
4. 高溫適應(yīng)�,能夠在-55℃至175℃范圍內(nèi)�(wěn)定工��
5. 良好的熱�(wěn)定�,確保長時間�(yùn)行時的可靠��
6. 小封裝尺�,適合空間受限的�(shè)��
這款功率MOSFET主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器
3. 電機(jī)�(qū)動與控制
4. 太陽能逆變�
5. 工業(yè)自動化設(shè)�
6. 汽車電子中的�(fù)載開�(guān)和保�(hù)電路
由于其出色的電氣特性和可靠�,Q67100-Q2366成為眾多工程師在�(shè)計高效電力電子系�(tǒng)時的首選�
Q67101-Q2367
IRFZ44N
FDP17N65