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XPC855TZP50D3 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/27 18:20:57 查看 閱讀:13

XPC855TZP50D3是一款高性能的功率MOSFET芯片,采用先進(jìn)的半導(dǎo)體制造工藝設(shè)計(jì)。該器件主要應(yīng)用于高效率、高頻率的開關(guān)電源和電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中。其特點(diǎn)包括低導(dǎo)通電阻、快速開關(guān)特性和高可靠性。該型號(hào)屬于N溝道增強(qiáng)型MOSFET,能夠在廣泛的電壓和電流范圍內(nèi)工作,適合多種工業(yè)和消費(fèi)類電子產(chǎn)品。

參數(shù)

最大漏源電壓:650V
  連續(xù)漏極電流:12A
  導(dǎo)通電阻:0.12Ω
  柵極電荷:45nC
  輸入電容:1200pF
  開關(guān)速度:非常快
  封裝形式:TO-220
  工作溫度范圍:-55℃至175℃

特性

XPC855TZP50D3具有出色的電氣性能,特別是在高壓應(yīng)用領(lǐng)域表現(xiàn)優(yōu)異。
  1. 低導(dǎo)通電阻降低了傳導(dǎo)損耗,提高了整體效率。
  2. 快速開關(guān)特性使得器件非常適合高頻開關(guān)電源和DC-DC轉(zhuǎn)換器。
  3. 高擊穿電壓允許其在高壓環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行。
  4. 封裝形式支持良好的散熱性能,從而增強(qiáng)了長期使用的可靠性。
  5. 廣泛的工作溫度范圍確保了器件在極端環(huán)境下的穩(wěn)定性。

應(yīng)用

XPC855TZP50D3廣泛應(yīng)用于各類需要高效功率轉(zhuǎn)換的場景,包括但不限于以下領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)模式電源(SMPS)的設(shè)計(jì)。
  2. 電動(dòng)工具和家用電器中的電機(jī)驅(qū)動(dòng)。
  3. 蓄電池充電器及逆變器電路。
  4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模塊。
  5. LED照明系統(tǒng)的驅(qū)動(dòng)電路。
  6. 各種需要高壓大電流開關(guān)的應(yīng)用場合。

替代型號(hào)

XPC855TYP50D3, IRF840, STP80NF06

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