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您所在的位置�電子元器件采購網 > IC百科 > FGA90N30DTU

FGA90N30DTU 發(fā)布時間 時間�2023/12/19 17:26:30 查看 閱讀�165

產品種類: IGBT 晶體�

目錄

概述

制造商: Fairchild Semiconductor
產品種類: IGBT 晶體�
封裝 / 箱體: TO-3P
集電極—發(fā)射極最大電� VCEO: 300 V
集電極—射極擊穿電�: 300 V
集電極—射極飽和電�: 1.9 V
柵極/�(fā)射極最大電�: 30 V
集電極最大連續(xù)電流 Ic: 90 A
柵極—射極漏泄電�: +/- 250 nA
功率耗散: 219 W
封裝: Tube
配置: Single

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fga90n30dtu參數(shù)

  • 標準包裝30
  • 類別分離式半導體產品
  • 家庭IGBT - 單路
  • 系列-
  • IGBT 類型-
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)300V
  • Vge, Ic時的最大Vce(開�1.4V @ 15V�20A
  • 電流 - 集電� (Ic)(最大)90A
  • 功率 - 最�219W
  • 輸入類型標準�
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-3P-3,SC-65-3
  • 供應商設備封�TO-3P
  • 包裝管件