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HY62WT08081E-DG55I 發(fā)布時間 時間�2025/5/20 15:17:10 查看 閱讀�22

HY62WT08081E-DG55I 是一款由 Hynix(海力士)生�(chǎn)的靜�(tài)隨機(jī)存取存儲器(SRAM�。該芯片采用 CMOS 工藝制造,具有低功耗和高速度的特�(diǎn),適用于各種需要高性能�(shù)�(jù)存儲的應(yīng)用場景。它提供了大容量的存儲空�,同時保持了�(wěn)定性和可靠��
  這款 SRAM 芯片主要面向工業(yè)、通信和消�(fèi)類電子設(shè)備領(lǐng)�,廣泛用于網(wǎng)�(luò)�(shè)備、打印機(jī)、數(shù)碼相�(jī)等需要快速數(shù)�(jù)處理和臨時存儲的場合�

參數(shù)

容量�512K x 16 bit = 1M Byte
  工作電壓�3.3V ± 0.3V
  訪問時間�10ns 典型�
  �(shù)�(jù)保留時間:無限期(在供電情況下)
  工作溫度范圍�-40°C � +85°C
  封裝形式:TQFP-44 引腳
  I/O 緩沖:SSTL_2
  引腳配置:符� JEDEC �(biāo)�(zhǔn)

特�

HY62WT08081E-DG55I 提供高密度存儲能�,支持快速的�(shù)�(jù)讀寫操�。其 CMOS 制造工藝顯著降低了功耗,使芯片能夠在長時間運(yùn)行中保持較低的熱量輸��
  此外,該芯片具備自動電源管理功能,在待機(jī)模式下可以�(jìn)一步減少能耗�
  由于采用了先�(jìn)的封裝技�(shù),該 SRAM 具有較高的抗干擾能力和穩(wěn)定�,適合在�(fù)雜電磁環(huán)境下使用�
  其非易失性數(shù)�(jù)保留特性確保在斷電后數(shù)�(jù)不會丟失,直到重新寫入新�(nèi)容為歀�
  整體�(shè)計優(yōu)化了信號完整性和時序精度,從而提高了系統(tǒng)性能�

�(yīng)�

HY62WT08081E-DG55I 可應(yīng)用于多種需要高效數(shù)�(jù)緩沖和臨時存儲的場景,例如:
  1. �(wǎng)�(luò)路由器和交換�(jī)中的�(shù)�(jù)包緩�
  2. 打印�(jī)中的圖像緩存
  3. �(shù)碼相�(jī)和其他多媒體�(shè)備的幀緩存
  4. 工業(yè)控制系統(tǒng)的數(shù)�(jù)記錄和暫�
  5. �(yī)療設(shè)備中的實時數(shù)�(jù)處理與存�
  6. 通信基站中的�(xié)議棧緩沖區(qū)
  7. 游戲�(jī)或其他嵌入式系統(tǒng)的高速緩存組�

替代型號

IS61WV51216BLL-10TI, AS6C1008-55JC, CY7C1049V33-10PC

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