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晶體�
閱讀�60006�(shí)間:2010-12-23 16:52:11

  晶體管是由三層雜�(zhì)半導(dǎo)體構(gòu)成的器件,有三�(gè)電極,所以又稱為半導(dǎo)體三極管,晶體三極管等,可以用于檢波、整流、放�、開�(guān)、穩(wěn)�、信號調(diào)制和許多其它功能�

�(jié)�(gòu)原理和符�

  晶體管由兩�(gè)PN�(jié)�(gòu)�,PN�(jié)是由兩種不同�(dǎo)電類型半�(dǎo)體材料組�,即P型材�(POSITIVE,導(dǎo)電載流子為空�)和N型材�(NEGATIVE,導(dǎo)電載流子為電�) 。三極管按極性分NPN和PNP型:

封裝形式

晶體管的封裝形式

分類

  按功能和用途分�

  晶體管按功能和用途可分為低噪聲放大晶體管、中高頻放大晶體�、低頻放大晶體管、開�(guān)晶體管、達(dá)林頓晶體�、高反壓晶體管、帶阻晶體管、帶阻尼晶體管、微波晶體管、光敏晶體管和磁敏晶體管等多種類��

  按半�(dǎo)體材料和極性分�

  按晶體管使用的半�(dǎo)體材料可分為硅材料晶體管和鍺材料晶體管。按晶體管的極性可分為鍺NPN型晶體管、鍺PNP晶體�、硅NPN型晶體管和硅PNP型晶體管�

  按結(jié)�(gòu)及制造工藝分�

  晶體管按其結(jié)�(gòu)及制造工藝可分為�(kuò)散型晶體管、合金型晶體管和平面型晶體管�

  按電流容量分�

  晶體管按電流容量可分為小功率晶體�、中功率晶體管和大功率晶體管�

  按工作頻率分�

  晶體管按工作頻率可分為低頻晶體管、高頻晶體管和超高頻晶體管等�

  按封裝結(jié)�(gòu)分類

  晶體管按封裝�(jié)�(gòu)可分為金屬封裝(簡稱金封)晶體管、塑料封裝(簡稱塑封)晶體管、玻璃殼封裝(簡稱玻封)晶體�、表面封裝(片狀)晶體管和陶瓷封裝晶體管等。其封裝外形多種多樣�

電參�(shù)介紹

  PC 指集電極允許耗散功率,使用時(shí)不能超過此功率,

  IC 指集電極允許直流電流

  IB 指基極允許直流電�

  Tj  �(jié)溫度,指PN�(jié)溫度

  VCEO(集電極—發(fā)射極擊穿電壓)基極開路,C、E之間的反向擊穿電��

  VCBO(集電極—基極擊穿電壓)�(fā)射極開路,C、B之間的反向擊穿電��

  VEBO(發(fā)射極—基極擊穿電壓)集電極開�,E、B之間的反向擊穿電壓�

  HFE(共發(fā)射極正向電流傳輸�):在共發(fā)射極電路�,輸出電壓保持不變時(shí),直流輸出電流與直流輸入電流之比�

  ICBO(集電極—基極截止電流):當(dāng)�(fā)射極開路�(shí),在�(guī)定的集電極—基極電壓下,流過集電極—基極結(jié)的反向電流�

  IEBO(發(fā)射極—基極截止電流):當(dāng)集電極開路時(shí),在�(guī)定的�(fā)射極—基極電壓下,流過發(fā)射極—基極結(jié)的反向電��

  VCE(SAT)(集電極—發(fā)射極飽和壓降):晶體管工作于飽和區(qū)�(shí),在�(guī)定的基極電流和集電極電流�,集電極端子與發(fā)射極端子之間的電�

  VBE(SAT)(基極—發(fā)射極飽和壓降):晶體管工作于飽和區(qū)�(shí),在�(guī)定的基極電流和集電極電流�,基極端子與�(fā)射極端子之間的電�

  VBE(基極—發(fā)射極電壓):在規(guī)定的VCE、IC的條件下,晶體管的基極—發(fā)射極正向電壓�

  fT(特征頻率):共�(fā)射極小信號正向電流傳輸比的模�(shù)下降�1�(shí)的頻�

  Cob(共基極輸出電容):在共基極電路�,輸入交流開路時(shí)的輸出電��

損壞的預(yù)�

  晶體管損壞原�

 ?�?)電路中的電�、電�、輸出功率 過載引起損壞在晶體管電路中主要與集電極-�(fā)射極間的電壓VCC、集電極-基極VCB與晶體管固有的特性參�(shù)(如VCBO、VCEO、ICBO、ICEO、PCM)及工作條件有�(guān)。如果電路中晶體管的集電極VCEO電壓超過了值,就會造成晶體管的損壞�

  �2)熱損壞 在晶體管手冊中一般所指的電壓,通常是常�(25�)下的�。因�,在�(huán)境溫度較高或在結(jié)溫下使用�(shí),晶體管工作的實(shí)際電壓將小于常溫�(shí)的�,此�(shí)晶體管的ICBO和IEBO也會增加,造成�(jié)溫上�,而結(jié)溫升高又會使ICBO和IEBO更�(jìn)一步增大而形成雪崩現(xiàn)�,結(jié)果熱擊穿而損��

 ?�?)二次擊穿引起的損壞 在晶體管電路�,當(dāng)集電極電壓升高時(shí)首先會出�(xiàn)一次擊�,使IC急劇增加。當(dāng)其電壓增加到某一臨界值后壓降會突然降�,形成很大的過電流,造成二次擊穿而損��

  �4)外界環(huán)境變化引起的損壞 外界�(huán)境變化是指機(jī)械振�、外力沖�、潮濕、化�(xué)物品的侵蝕等外界因素造成的損��

使用技�

  用于開關(guān)線路,則偏向選用電流比較大,飽和壓降小的�,對管的耐壓要求可適�(dāng)放寬。因?yàn)槟蛪汉碗娏魇且粚ハ嗝艿膮�?shù),要兩全其美的話必然增加成本。為了能�(jìn)入飽和狀�(tài),避免出�(xiàn)�(guān)不斷的情�,除了選好管之外,對線路偏置很重要。通常在IC保持不變情況下增大IB的電�,或IB保持不變情況下減小IC電流�

  用于高壓電路,主要考慮漏電流要�,熱�(wěn)定性要好,避免擊穿電壓有軟特�、蠕變情況。能加保�(hù)電路�

  用于普通放�,主要考慮HFE輸出的線性要�,工作區(qū)�,靜�(tài)工作�(diǎn)選擇HFE的測試條件,即HFE分檔的測試條��

  用于高頻線路,主要考慮是fT參數(shù),而且要跟線路板相匹配,PCB板上的電�、電感都回影響其使用�

  用于功率放大,主要考慮其功率的承受范圍,管裝上后管體發(fā)熱情況怎樣,周圍環(huán)境溫度如何,散熱通風(fēng)是否良好。PCM=TJM-TA/RT

  PC(T�=PCM(TJM-T/TJM-TA�

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