日韩欧美国产极速不卡一区,国产手机视频在线观看尤物,国产亚洲欧美日韩蜜芽一区,亚洲精品国产免费,亚洲二区三区无码中文,A大片亚洲AV无码一区二区三区,日韩国语国产无码123

您好,歡迎來到維庫電子市場網(wǎng) 登錄 | 免費(fèi)注冊

絕緣柵雙極型晶體�
閱讀�5319時間�2020-10-10 17:42:19

    絕緣柵雙極型晶體管是�MOSFET和雙極型晶體管復(fù)合而成的一種器�,其輸入極為MOSFET,輸出極為PNP晶體�,它融合了這兩種器件的�(yōu)�(diǎn),既具有MOSFET器件�(qū)動功率小�開關(guān)速度快的�(yōu)�(diǎn),又具有雙極型器件飽和壓降低而容量大的優(yōu)�(diǎn),其頻率特性介于MOSFET�功率晶體�之間,可正常工作于幾十kHz頻率范圍�(nèi),在�(xiàn)代電力電子技�(shù)中得到了越來越廣泛的�(yīng)�,在較高頻率的大、中功率�(yīng)用中占據(jù)了主�(dǎo)地位�

IGBT原理及等效電�

IGBT管的開通和�(guān)斷是由柵極電壓來控制�,IGBT管的等效電路如圖1所示。由�1可知,當(dāng)柵極加正電壓時.MOSFET�(nèi)形成溝道,并為PNP晶體管提供基極電�,從而使IGBT管導(dǎo)�,此時高耐壓的IGBT管也具有低的�(dǎo)通態(tài)壓降。在柵極上加�(fù)電壓時,MOSFET�(nèi)的溝道消�,PNP晶體管的基極電流被切�,IGBT管即�(guān)�。IGBT管與M()SFET一樣也是電壓控制型器件,在它的柵極、發(fā)射極間施加十幾伏的直流電壓.只有微安級的漏電�,基本上不消耗功�,顯示了輸入阻抗大的�(yōu)�(diǎn)。IGBT的電路符號仍然沒有統(tǒng)一的畫�,圖1(a)和圖1(b)為IGBT管最常見的電路符��
若在IGBT的柵極和�(fā)射極之間加上�(qū)動正電壓,則MOSFET�(dǎo)�,這樣PNP晶體管的集電極與基極之間成低阻狀�(tài)而使得晶體管�(dǎo)通;�1GBT的柵極和�(fā)射極之間電壓�0V,則MOS截止,切斷PNP晶體管基極電流的供給,使得晶體管截止。IGBT與MOSFET一樣也是電壓控制型器件,在它的柵極一�(fā)射極間施加十幾伏的直流電�,只有μA級的漏電流流過,基本上不消耗功��

IGBT的擎住效�(yīng)

以N型IGBT管為例研究其安全工作區(qū),畫出其�(nèi)部結(jié)�(gòu)與等效電路如�2所��
1)�(jié)�(gòu)特點(diǎn)
(1)寄生晶閘管:由一個N PN 晶體管和作為主開�(guān)器件的N PN 晶體管組成�
(2)正偏安全工作區(qū)(FBSOA):最大集電極電流、最大集射極間電壓和最大集電極功耗確��
(3)反向偏置安全工作區(qū)(RBSOA):最大集電極電流、最大集射極間電壓和最大允許電壓上升率確定�
(4)擎住效應(yīng)或自鎖效�(yīng):溝道電阻上�(chǎn)生的壓降.相�(dāng)于對J�(jié)施加正偏�。一旦J開�,柵極就會失去對集電極電流的控制作用。電流失控,動態(tài)擎住效應(yīng)比靜�(tài)擎住效應(yīng)所允許的集電極電流�。擎住效�(yīng)曾限制IGBT電流容量提高�20世紀(jì)90年代中后期逐漸解決,即將IGBT與反并聯(lián)的快速二極管封裝在一�,制成模�,成為逆導(dǎo)器件�
2)使用注意事項
IGBT管的柵極通過一層氧化膜與發(fā)射極實現(xiàn)電隔�。由于此氧化膜很薄,IGBT管的U的耐壓值為20V,在IGBT管加超出耐壓值的電壓�,會�(dǎo)�?lián)p壞的危險。此�,在柵極一�(fā)射極間開路時,若在集電極與發(fā)射極間加上電�,則隨著集電極電位的變化,由于集電極有漏電流流過,柵極電位升�。集電極則有電流流過,這時,如果集電極與發(fā)射極間存在高電壓,則有可能使IGBT管發(fā)熱乃至損��

主要參數(shù)

(1)最大集射極間電�
該參�(shù)決定了器件的最高工作電壓,這是由內(nèi)部PNP晶體管所能承受的擊穿電壓確定��
(2)最大集電極電流
最大集電極電流包括在一定的殼溫下額定直流電流和脈寬最大電�。不同廠商產(chǎn)品的�(biāo)稱電流通常為殼�25℃或80℃條件下的額定直流電流。該參數(shù)與IGBT的殼溫密切相�(guān),而且由于器件實際工作時的殼溫一般都較高,所以選用時必須加以重視�
(3)最大集電極功�
在一定的殼溫下IGBT允許的最大功�,該功耗將隨殼溫升高而下降�
(4)集射飽和壓降
柵射間施加一定電�,在一定的�(jié)溫及集電極電流條件下,集射間飽和通態(tài)壓降。此壓降在集電極電流較小時呈�(fù)溫度系數(shù),在電流較大時為正溫度系�(shù),這一特性使IGBT并聯(lián)�(yùn)行也較為容易�
(5)柵射電壓
與MOSFET相似,當(dāng)U>20V將導(dǎo)致絕緣層擊穿。因此在焊接、驅(qū)動等方面必須注意�

維庫電子�,電子知識,一查百��

已收錄詞�166730