FET即Field Effect Transistor,譯為場效應晶體�,也�場效應管,是一種電壓控制器�(晶體�是電流控制器�)。有很高的輸入阻�,較大的功率增�,由于是電壓控制器件所以噪聲小。FET是根�(jù)三極�的原理開�(fā)出的新一代放大元�,有3個極�,柵極,漏極,源��
�(xiàn)在越來越多的電子電路都在使用場效應管, 特別是在音響領域更是如此, 場效應管與晶體管不同, 它是一種電壓控制器�(晶體管是電流控制器件) , 其特性更象電子管, 它具有很高的輸入阻抗, 較大的功率增�, 由于是電壓控制器件所以噪聲小, 其結構簡圖如� C-a.
場效應管是一種單極型晶體�, 它只有一� P-N �, 在零偏壓的狀�(tài)�, 它是導通的, 如果在其柵極(G) 和源�(S) 之間加上一個反向偏�(稱柵極偏�) 在反向電場作用下 P-N 變厚 (稱耗盡區(qū)) 溝道變窄, 其漏極電流將變小, (如圖 C1-b) , 反向偏壓達到一定時, 耗盡區(qū)將完全溝�"夾斷", 此時, 場效應管進入截止狀�(tài)如圖 C-c, 此時的反向偏壓我們稱之為夾斷電壓, 用Vpo 表示, 它與柵極電壓Vgs 和漏源電壓Vds 之間可近以表示為Vpo=Vps+| Vgs| , 這里| Vgs| � Vgs 的�.
下圖是FET簡單的的結構示意圖(P溝FET是P型半導體部分與N型半導體部分互換)�
雙極晶體管的基極�(fā)射極間以及基極集電極間分別是兩個PN結,就是說存在著二極管。JFET的柵極與溝道(把輸出電路流過漏極源極間的部分稱為溝道)間有PN結,所以認為存在著二極管(由于有PN結,所以稱為結型FET)�
如圖所�,FET按照結構可以分為結型FET(JFET:JunctionFET)和絕緣柵FET(MOSFET:MetalOxideSemiconductorFET)�
按照電學特�,MOSFET又可以分為耗盡型(deletion)與增強型(enhancement)兩類。它們又可以進一步分為N溝型(與雙極晶體管的NPN型相當)和P溝型(與雙極晶體管的PNP型相當)�
從實際FET的型號中完全看不出JFET與MOSFET、耗盡型與增強型的區(qū)別。僅僅是N溝器件為2SK×××(也有雙柵的3SK×××),P溝器件為2SJ××�,以區(qū)別N溝和P溝器件�
將萬用表置于R 1K �, 用黑表筆接觸假定為的柵極G 管腳, 然后用紅表筆分別接觸另外兩個管�, 若阻值均比較 Jj� (� 5�10Q) , 再將紅黑表筆交挾測量一次. 如阻值大(O) , 說明都是反向電阻(PN 結反�) , � N 溝道�, 且黑表筆接觸的管為柵� C, 并說明原先假定是正確�� 再次測量的阻值均很小, 說明是正向電�, 屬于 P 溝道場效應管, 黑表筆所接觸的也是柵� C� 若不出現(xiàn)上述情況, 可以�(diào)換紅黑表�, 按上述方法進測�, 直至判斷柵極為止� 一般結型效應管的源極與漏極� 制造時是對稱的, 所�, 當柵� G 確定以后, 對于源極 S 漏極 D 不一定要判斷, 因為這兩個極可以互換使用, 因此沒有必要去判別. 源極與漏極之間的電阻約為幾千��
維庫電子�,電子知�,一查百��
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