XQ5VSX50T-1EF665I 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�。該芯片廣泛�(yīng)用于需要高效率和低功耗的電路中,例如�(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)器以� DC-DC �(zhuǎn)換器等場(chǎng)景�
其設(shè)�(jì)特點(diǎn)在于具備較低的導(dǎo)通電阻和較高的開(kāi)�(guān)速度,從而在高頻工作條件下仍然保持良好的性能表現(xiàn)�
型號(hào):XQ5VSX50T-1EF665I
類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
最大漏源電�(Vds)�50V
最大柵源電�(Vgs):�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�30A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�4mΩ(典型值)
總功�(Ptot)�10W
封裝形式:TO-247-3
工作溫度范圍�-55℃至+175�
XQ5VSX50T-1EF665I 的主要特性包括以下幾�(diǎn)�
1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)) 確保了更高的效率和更低的�(fā)��
2. 高速開(kāi)�(guān)能力使得它非常適合高頻應(yīng)用環(huán)��
3. �(nèi)� ESD 保護(hù)�(jī)制,提升了器件的抗靜電能��
4. �(yōu)化的熱設(shè)�(jì)允許芯片在大電流�(fù)載下�(zhǎng)�(shí)間穩(wěn)定運(yùn)行�
5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),綠色環(huán)保無(wú)鉛工藝�
6. 封裝�(jiān)固耐用,適合工�(yè)�(jí)和汽車級(jí)�(yīng)用場(chǎng)��
這款功率 MOSFET 可以�(yīng)用于多種�(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)電源 (SMPS) 中作為主�(kāi)�(guān)管使��
2. DC-DC �(zhuǎn)換器中的同步整流管或功率�(kāi)�(guān)�
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)器中的功率輸出級(jí)�
4. 太陽(yáng)能逆變器和其他可再生能源系�(tǒng)中的功率控制單元�
5. 各類工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備及汽車電子系統(tǒng)的功率管理模��
XQ5VSX50T-1EF665I 憑借其卓越的性能,在這些�(yīng)用場(chǎng)合能夠顯著降低功耗并提高整體系統(tǒng)效率�
XQ5VSX50T-1EF666I, IRF540N, FQP50N06L