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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > XQ5VSX50T-1EF665I

XQ5VSX50T-1EF665I 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/10 8:58:30 查看 閱讀�23

XQ5VSX50T-1EF665I 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�。該芯片廣泛�(yīng)用于需要高效率和低功耗的電路中,例如�(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)器以� DC-DC �(zhuǎn)換器等場(chǎng)景�
  其設(shè)�(jì)特點(diǎn)在于具備較低的導(dǎo)通電阻和較高的開(kāi)�(guān)速度,從而在高頻工作條件下仍然保持良好的性能表現(xiàn)�

參數(shù)

型號(hào):XQ5VSX50T-1EF665I
  類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
  最大漏源電�(Vds)�50V
  最大柵源電�(Vgs):�20V
  連續(xù)漏極電流(Id)�30A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�4mΩ(典型值)
  總功�(Ptot)�10W
  封裝形式:TO-247-3
  工作溫度范圍�-55℃至+175�

特�

XQ5VSX50T-1EF665I 的主要特性包括以下幾�(diǎn)�
  1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)) 確保了更高的效率和更低的�(fā)��
  2. 高速開(kāi)�(guān)能力使得它非常適合高頻應(yīng)用環(huán)��
  3. �(nèi)� ESD 保護(hù)�(jī)制,提升了器件的抗靜電能��
  4. �(yōu)化的熱設(shè)�(jì)允許芯片在大電流�(fù)載下�(zhǎng)�(shí)間穩(wěn)定運(yùn)行�
  5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),綠色環(huán)保無(wú)鉛工藝�
  6. 封裝�(jiān)固耐用,適合工�(yè)�(jí)和汽車級(jí)�(yīng)用場(chǎng)��

�(yīng)�

這款功率 MOSFET 可以�(yīng)用于多種�(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)電源 (SMPS) 中作為主�(kāi)�(guān)管使��
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器中的同步整流管或功率�(kāi)�(guān)�
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)器中的功率輸出級(jí)�
  4. 太陽(yáng)能逆變器和其他可再生能源系�(tǒng)中的功率控制單元�
  5. 各類工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備及汽車電子系統(tǒng)的功率管理模��
  XQ5VSX50T-1EF665I 憑借其卓越的性能,在這些�(yīng)用場(chǎng)合能夠顯著降低功耗并提高整體系統(tǒng)效率�

替代型號(hào)

XQ5VSX50T-1EF666I, IRF540N, FQP50N06L

xq5vsx50t-1ef665i推薦供應(yīng)� 更多>

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