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BUK763R1-60E 發(fā)布時間 時間�2025/4/28 16:45:12 查看 閱讀�29

BUK763R1-60E 是一款由安森美(ON Semiconductor)生�(chǎn)的N溝道增強型MOSFET。該器件采用PowerTrench技�(shù)制�,具有低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度的特點,非常適合用于高效能的開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動以及負載開�(guān)等應(yīng)�。該芯片封裝為TO-263(DPAK�,能夠提供出色的散熱性能和高電流處理能力�
  該器件的主要特點是其�(yōu)化的柵極電荷和較低的�(dǎo)通電阻(Rds(on)�,從而減少功率損耗并提高系統(tǒng)效率。此�,它還具有較高的雪崩耐量,能夠在過載條件下提供更好的保護�

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�42A
  �(dǎo)通電阻:3.5mΩ
  柵源電壓:�20V
  柵極電荷�12nC
  總電容:1020pF
  工作�(jié)溫范圍:-55� � +175�

特�

BUK763R1-60E 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電�,典型值為3.5mΩ,可有效降低傳導(dǎo)損��
  2. 高速開�(guān)性能,柵極電荷僅�12nC,有助于減少開關(guān)損��
  3. 較高的漏極電流承載能�,最高可�42A,適用于大電流應(yīng)��
  4. 寬工作溫度范圍(-55℃至+175℃),確保在各種�(huán)境下的可靠��
  5. �(nèi)置反向恢�(fù)二極管,具備較低的反向恢�(fù)電荷,適合同步整流應(yīng)��
  6. 符合RoHS標準,環(huán)保且支持無鉛焊接工藝�
  7. 雪崩耐量�(jīng)過優(yōu)�,能夠在短路或過載情況下提供更高的耐用��

�(yīng)�

BUK763R1-60E 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率開�(guān)�
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的同步整流開關(guān)�
  3. 電機�(qū)動電路中的功率級控制�
  4. 各種負載開關(guān)和保護電��
  5. 多相VRM(電壓調(diào)節(jié)模塊)設(shè)計中的功率MOSFET�
  6. 汽車電子系統(tǒng)的功率管理模塊�
  7. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率切換元��

替代型號

IRLB8749PBF, FDP5800, BUK7Y3R8-60E

buk763r1-60e推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
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