SPB80N03S2L-06 是一款基于功� MOSFET 技術的 N 溝道增強型場效應晶體�。該器件采用先進的半導體工藝制造,具有低導通電阻和高開關速度的特�,廣泛適用于各種高效能功率轉(zhuǎn)換應用�
其封裝形式為 TO-252(DPAK�,能夠提供出色的散熱性能和緊湊的設計解決方案�
最大漏源電壓:30V
連續(xù)漏極電流�80A
導通電阻:1.4mΩ(典型值,� Vgs=10V 時)
柵極電荷�170nC(最大值)
開關頻率:高� 1MHz
�(jié)溫范圍:-55°C � +175°C
功耗:120W(典型值)
SPB80N03S2L-06 的主要特點是低導通電�,這使得它在大電流應用中表�(xiàn)出色,同時減少了傳導損��
此外,快速的開關速度有助于降低開關損�,并支持高頻操作場景�
該器件還具有�(yōu)異的熱穩(wěn)定�,能夠在較寬的溫度范圍內(nèi)保持�(wěn)定的性能�
由于采用� DPAK 封裝,SPB80N03S2L-06 能夠?qū)崿F(xiàn)高效的熱量散�(fā),從而延長使用壽命并提升系統(tǒng)的可靠��
此外,其�(nèi)置的 ESD 保護功能增強了對靜電放電的耐受能力�
這款功率 MOSFET 常用� DC-DC �(zhuǎn)換器、開關電源(SMPS�、電機驅(qū)動器、逆變器以及電池管理系�(tǒng)等應用場景�
它特別適合需要高效能和低損耗的工業(yè)及汽車電子領�,例如電動汽車牽引逆變器、太陽能逆變器和不間斷電源系�(tǒng)(UPS��
此外,SPB80N03S2L-06 還可以應用于負載切換電路和保護電路設計中�
SPB80N03L-08, IRF840, FDP069N03L