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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > SPB80N03S2L-06

SPB80N03S2L-06 發(fā)布時間 時間�2025/5/13 17:01:22 查看 閱讀�20

SPB80N03S2L-06 是一款基于功� MOSFET 技術的 N 溝道增強型場效應晶體�。該器件采用先進的半導體工藝制造,具有低導通電阻和高開關速度的特�,廣泛適用于各種高效能功率轉(zhuǎn)換應用�
  其封裝形式為 TO-252(DPAK�,能夠提供出色的散熱性能和緊湊的設計解決方案�

參數(shù)

最大漏源電壓:30V
  連續(xù)漏極電流�80A
  導通電阻:1.4mΩ(典型值,� Vgs=10V 時)
  柵極電荷�170nC(最大值)
  開關頻率:高� 1MHz
  �(jié)溫范圍:-55°C � +175°C
  功耗:120W(典型值)

特�

SPB80N03S2L-06 的主要特點是低導通電�,這使得它在大電流應用中表�(xiàn)出色,同時減少了傳導損��
  此外,快速的開關速度有助于降低開關損�,并支持高頻操作場景�
  該器件還具有�(yōu)異的熱穩(wěn)定�,能夠在較寬的溫度范圍內(nèi)保持�(wěn)定的性能�
  由于采用� DPAK 封裝,SPB80N03S2L-06 能夠?qū)崿F(xiàn)高效的熱量散�(fā),從而延長使用壽命并提升系統(tǒng)的可靠��
  此外,其�(nèi)置的 ESD 保護功能增強了對靜電放電的耐受能力�

應用

這款功率 MOSFET 常用� DC-DC �(zhuǎn)換器、開關電源(SMPS�、電機驅(qū)動器、逆變器以及電池管理系�(tǒng)等應用場景�
  它特別適合需要高效能和低損耗的工業(yè)及汽車電子領�,例如電動汽車牽引逆變器、太陽能逆變器和不間斷電源系�(tǒng)(UPS��
  此外,SPB80N03S2L-06 還可以應用于負載切換電路和保護電路設計中�

替代型號

SPB80N03L-08, IRF840, FDP069N03L

spb80n03s2l-06推薦供應� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應�
  • �(shù)�
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spb80n03s2l-06參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • 價格停產(chǎn)
  • 系列OptiMOS?
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT�
  • �(chǎn)品狀�(tài)停產(chǎn)
  • FET 類型N 通道
  • 技�MOSFET(金屬氧化物�
  • 漏源電壓(Vdss�30 V
  • 25°C 時電� - 連續(xù)漏極 (Id)80A(Tc�
  • �(qū)動電壓(最� Rds On,最� Rds On�4.5V�10V
  • 不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值)5.9 毫歐 @ 80A�10V
  • 不同 Id � Vgs(th)(最大值)2V @ 80μA
  • 不同 Vgs 時柵極電�?(Qg)(最大值)68 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 時輸入電� (Ciss)(最大值)2530 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)150W(Tc�
  • 工作溫度-55°C ~ 175°C(TJ�
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 供應商器件封�PG-TO263-3-2
  • 封裝/外殼TO-263-3,D2Pak�2 引線 + 接片�,TO-263AB