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XN0121200L 發(fā)布時間 時間�2023/10/27 17:18:00 查看 閱讀�147

類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)�

目錄

概述

類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)�
家庭:晶體管(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓�
晶體管類型:2 � NPN �(yù)偏壓式(雙)
電流 - 集電� (Ic)(最大)�100mA
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)�50V
電阻� - 基極 (R1)(歐):22K
電阻� - �(fā)射極 (R2)(歐):22K
在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增� (hFE)�60 @ 5mA, 10V
Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大)�250mV @ 300μA, 10mA
電流 - 集電極截止(最大)�500nA
頻率 - �(zhuǎn)換:150MHz
功率 - 最大:300mW
安裝類型:表面貼�
封裝/外殼:SC-74-5, SOT-753
包裝:帶� (TR)

xn0121200l推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

xn0121200l參數(shù)

  • �(shù)�(jù)列表XN0121200L View all Specifications
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭晶體�(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓�
  • 系列-
  • 晶體管類�2 � NPN �(yù)偏壓式(雙)
  • 電流 - 集電� (Ic)(最大)100mA
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)50V
  • 電阻� - 基極 (R1)(歐�22k
  • 電阻� - �(fā)射極 (R2)(歐�22k
  • 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增� (hFE)60 @ 5mA�10V
  • Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大)250mV @ 300µA�10mA
  • 電流 - 集電極截止(最大)500nA
  • 頻率 - �(zhuǎn)�150MHz
  • 功率 - 最�300mW
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼SC-74A,SOT-753
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�迷你�5-G1
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱XN0121200LTRXN1212-(TX)XN1212-TXXN1212TRXN1212TR-ND