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IRF7466TR 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/28 20:04:22 查看 閱讀�28

IRF7466TR是英飛凌(Infineon)生�(chǎn)的一款N溝道增強(qiáng)型MOSFET晶體�,采用TO-252 (DPAK) 封裝。該器件主要用于�(kāi)�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)和負(fù)載開(kāi)�(guān)等應(yīng)用中。其低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力使其成為高效功率管理的理想選擇�
  IRF7466TR的設(shè)�(jì)目標(biāo)是提供較低的�(dǎo)通電阻以減少功耗并提高效率,同�(shí)具備較高的開(kāi)�(guān)速度以適�(yīng)高頻�(yīng)用環(huán)��

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  最大柵源電壓:±20V
  連續(xù)漏極電流�39A
  �(dǎo)通電阻:8.5mΩ
  總柵極電荷:17nC
  �(kāi)�(guān)�(shí)間:�(kāi)通延遲時(shí)間:12ns,關(guān)斷傳播時(shí)間:16ns
  工作�(jié)溫范圍:-55℃至175�

特�

IRF7466TR具有以下顯著特性:
  1. 低導(dǎo)通電�,有助于降低�(dǎo)通損耗,從而提高系�(tǒng)整體效率�
  2. 高額定電流支持大功率�(yīng)�,滿足多種工�(yè)及消�(fèi)類電子需��
  3. 快速開(kāi)�(guān)性能確保在高頻條件下維持高效的能量轉(zhuǎn)��
  4. TO-252封裝形式緊湊且易于安裝,適用于表面貼裝技�(shù)(SMT��
  5. 廣泛的工作溫度范圍使該器件能夠在惡劣�(huán)境下可靠�(yùn)��

�(yīng)�

IRF7466TR廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)模式電源(SMPS),用于�(shí)�(xiàn)高效能量�(zhuǎn)��
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器,在汽車電子和通信�(shè)備中提供�(wěn)定的直流電壓輸出�
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路,適用于家用電器、工�(yè)自動(dòng)化和電動(dòng)工具�
  4. �(fù)載開(kāi)�(guān),用于保�(hù)下游電路免受�(guò)流或短路影響�
  5. 其他需要高性能功率�(kāi)�(guān)的應(yīng)用場(chǎng)��

替代型號(hào)

IRF7467TR, IRF7468TR

irf7466tr推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

irf7466tr參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝4,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列HEXFET®
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門(mén)
  • 漏極至源極電�(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C11A
  • �(kāi)�(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C12.5 毫歐 @ 11A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs23nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds2100pF @ 15V
  • 功率 - 最�2.5W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SOIC�0.154"�3.90mm 寬)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�8-SO
  • 包裝帶卷 (TR)