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時(shí)間：2025/5/21 11:10:41
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GA1206A220GXLBP31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，專為需要高效能和低導(dǎo)通電阻的應(yīng)用場景設(shè)計(jì)。該器件采用了先進(jìn)的制造工藝，具有出色的開關(guān)特性和低損耗性能，適用于多種電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和其他高電流應(yīng)用領(lǐng)域。
其封裝形式經(jīng)過優(yōu)化設(shè)計(jì)，能夠提供卓越的散熱性能和電氣連接可靠性，從而確保在各種復(fù)雜工況下的穩(wěn)定運(yùn)行。
型號(hào)：GA1206A220GXLBP31G
類型：N-Channel MOSFET
Vds（漏源極電壓）：120V
Rds(on)（導(dǎo)通電阻）：22mΩ（典型值，于 Vgs=10V 下測試）
Id（連續(xù)漏極電流）：65A
Qg（柵極電荷）：74nC
EAS（雪崩能量）：1.8J
封裝：LXA-31-G（表面貼裝型）
GA1206A220GXLBP31G 具有以下顯著特點(diǎn)：
1. 極低的導(dǎo)通電阻 Rds(on)，有效降低傳導(dǎo)損耗，提高系統(tǒng)效率。
2. 高速開關(guān)能力，支持高頻工作環(huán)境。
3. 強(qiáng)大的雪崩耐量性能，增強(qiáng)器件在異常情況下的魯棒性。
4. 采用先進(jìn)的封裝技術(shù)，確保良好的熱傳導(dǎo)性能和機(jī)械強(qiáng)度。
5. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保無鉛設(shè)計(jì)。
6. 支持大電流操作，適合多種高功率應(yīng)用場景。
該功率 MOSFET 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
1. 開關(guān)電源（SMPS）中的主開關(guān)管或同步整流器。
2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器和降壓/升壓電路。
3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中的功率級(jí)控制元件。
4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切換與保護(hù)電路。
5. 太陽能逆變器和電池管理系統(tǒng)中的關(guān)鍵功率傳輸組件。
6. 電動(dòng)汽車及混合動(dòng)力汽車的動(dòng)力總成控制系統(tǒng)。
7. 各種高電流電子負(fù)載的驅(qū)動(dòng)與調(diào)節(jié)電路。
GA1206A220GXLBP32G, IRF1206ZPBF, FDP1206N12L
