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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > V120J0402C0G500NBT

V120J0402C0G500NBT 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/5 13:58:32 查看 閱讀�8

V120J0402C0G500NBT是一款高性能的功率MOSFET芯片,適用于高效�、高頻率的開(kāi)�(guān)電源和電�(jī)�(qū)�(dòng)等應(yīng)用場(chǎng)�。該芯片采用了先�(jìn)的溝槽式MOSFET技�(shù),具有低�(dǎo)通電�、高�(kāi)�(guān)速度和優(yōu)秀的熱性能�
  這款器件通常用于DC-DC�(zhuǎn)換器、AC-DC適配�、電�(jī)控制以及�(fù)載開(kāi)�(guān)等領(lǐng)�,能夠顯著提高系�(tǒng)的整體效率并降低功��

參數(shù)

型號(hào):V120J0402C0G500NBT
  類型:N-Channel MOSFET
  封裝形式:TO-263 (DPAK)
  額定電壓�120V
  額定電流�50A
  �(dǎo)通電阻:2mΩ(典型值)
  柵極電荷�70nC(最大值)
  工作溫度范圍�-55� to +175�
  漏源擊穿電壓�120V(最小值)
  連續(xù)漏極電流�50A(@25℃)
  峰值脈沖漏極電流:100A
  總功耗:20W(@Tc=25℃)

特�

V120J0402C0G500NBT具備以下突出特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電�,僅�2mΩ,有助于減少傳導(dǎo)損耗,提升系統(tǒng)效率�
  2. 高速開(kāi)�(guān)能力,適合高頻應(yīng)用,其柵極電荷小,可降低�(kāi)�(guān)損��
  3. 采用溝槽工藝制�,提供卓越的熱穩(wěn)定性和可靠��
  4. 支持寬廣的工作溫度范圍,適應(yīng)極端�(huán)境下的使用需��
  5. 具備出色的雪崩耐量,增�(qiáng)在異常條件下的魯棒��
  6. 封裝形式為TO-263,易于安裝且散熱性能�(yōu)��

�(yīng)�

V120J0402C0G500NBT廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS),包括AC-DC適配器和DC-DC�(zhuǎn)換器�
  2. 電動(dòng)工具及家電中的電�(jī)�(qū)�(dòng)控制�
  3. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載開(kāi)�(guān)和保�(hù)電路�
  4. 新能源汽車電子系�(tǒng)中的逆變器和電池管理系統(tǒng)�
  5. 各類高效節(jié)能型功率變換模塊�(shè)�(jì)�

替代型號(hào)

V120J0402C0G500NBH,V120J0402C0G500NBL

v120j0402c0g500nbt推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)