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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > SQJA20EP-T1_GE3

SQJA20EP-T1_GE3 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/7 21:42:11 查看 閱讀�27

SQJA20EP-T1_GE3 是一款由安森美(onsemi)生�(chǎn)的功� MOSFET 芯片,屬� NTMP 系列。該器件采用 SuperFET II 技�(shù),專為高效率、低�(dǎo)通電阻應(yīng)用設(shè)�(jì)。其主要特點(diǎn)包括極低的導(dǎo)通電�、出色的�(kāi)�(guān)性能和熱�(wěn)定�,適合在電源管理、DC-DC �(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)和負(fù)載開(kāi)�(guān)等場(chǎng)景中使用�
  該芯片封裝形式為 DPAK (TO-252),能夠提供高效的功率�(zhuǎn)換能�,同�(shí)具備良好的散熱性能。由于其高性能表現(xiàn)和緊湊型�(shè)�(jì),SQJA20EP-T1_GE3 廣泛�(yīng)用于消費(fèi)電子、工�(yè)控制及通信�(shè)備領(lǐng)��

參數(shù)

類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
  最大漏源電�(Vds)�60V
  最大柵源電�(Vgs):�20V
  連續(xù)漏極電流(Id)�20A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�4.5mΩ(典型值,Vgs=10V�
  總功�(Ptot)�95W
  �(jié)溫范�(Tj)�-55℃至175�
  封裝:DPAK (TO-252)
  工作溫度范圍(Ta)�-55℃至150�

特�

SQJA20EP-T1_GE3 的關(guān)鍵特性如下:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,有效降低功率損�,提升系�(tǒng)效率�
  2. 出色的開(kāi)�(guān)性能,支持高頻操�,適用于各類�(kāi)�(guān)電源�(shè)�(jì)�
  3. �(qiáng)大的電流承載能力,能夠滿足大功率�(yīng)用場(chǎng)景的需��
  4. 高耐壓能力,額定漏源電壓為60V,可�(yīng)�(duì)多種�(fù)雜電路環(huán)��
  5. 具備卓越的熱�(wěn)定性和可靠性,能夠在高溫環(huán)境下�(zhǎng)期運(yùn)行�
  6. 采用�(wú)鉛封�,符� RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且易于焊接與安��
  7. 提供�(yōu)異的 ESD 保護(hù)功能,增�(qiáng)器件抗干擾能��

�(yīng)�

SQJA20EP-T1_GE3 廣泛用于以下�(yīng)用領(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器�
  2. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)和控制電��
  3. 筆記本電腦和�(tái)式機(jī)的電源管理系�(tǒng)�
  4. 電池充電器及能量回收系統(tǒng)�
  5. 汽車電子中的�(fù)載開(kāi)�(guān)和繼電器替代方案�
  6. 各類高效能功率轉(zhuǎn)換模��
  7. LED �(qū)�(dòng)器和其他需要大電流輸出的應(yīng)用場(chǎng)景�

替代型號(hào)

SQJA20EP
  SQJA20EP-T1-GE3
  FDP5800
  IRLR7843

sqja20ep-t1_ge3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

sqja20ep-t1_ge3參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)貨查看交�
  • �(jià)�1 : �11.69000剪切帶(CT�3,000 : �4.94919卷帶(TR�
  • 系列Automotive, AEC-Q101, TrenchFET?
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • FET 類型N 通道
  • 技�(shù)MOSFET(金屬氧化物�
  • 漏源電壓(Vdss�200 V
  • 25°C �(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)22.5A(Tc�
  • �(qū)�(dòng)電壓(最� Rds On,最� Rds On�7.5V�10V
  • 不同 Id、Vgs �(shí)�(dǎo)通電阻(最大值)50 毫歐 @ 10A�10V
  • 不同 Id �(shí) Vgs(th)(最大值)3.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs �(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值)27 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds �(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值)1300 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)68W(Tc�
  • 工作溫度-55°C ~ 175°C(TJ�
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 供應(yīng)商器件封�PowerPAK? SO-8
  • 封裝/外殼PowerPAK? SO-8