SQJA20EP-T1_GE3 是一款由安森美(onsemi)生�(chǎn)的功� MOSFET 芯片,屬� NTMP 系列。該器件采用 SuperFET II 技�(shù),專為高效率、低�(dǎo)通電阻應(yīng)用設(shè)�(jì)。其主要特點(diǎn)包括極低的導(dǎo)通電�、出色的�(kāi)�(guān)性能和熱�(wěn)定�,適合在電源管理、DC-DC �(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)和負(fù)載開(kāi)�(guān)等場(chǎng)景中使用�
該芯片封裝形式為 DPAK (TO-252),能夠提供高效的功率�(zhuǎn)換能�,同�(shí)具備良好的散熱性能。由于其高性能表現(xiàn)和緊湊型�(shè)�(jì),SQJA20EP-T1_GE3 廣泛�(yīng)用于消費(fèi)電子、工�(yè)控制及通信�(shè)備領(lǐng)��
類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
最大漏源電�(Vds)�60V
最大柵源電�(Vgs):�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�20A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�4.5mΩ(典型值,Vgs=10V�
總功�(Ptot)�95W
�(jié)溫范�(Tj)�-55℃至175�
封裝:DPAK (TO-252)
工作溫度范圍(Ta)�-55℃至150�
SQJA20EP-T1_GE3 的關(guān)鍵特性如下:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,有效降低功率損�,提升系�(tǒng)效率�
2. 出色的開(kāi)�(guān)性能,支持高頻操�,適用于各類�(kāi)�(guān)電源�(shè)�(jì)�
3. �(qiáng)大的電流承載能力,能夠滿足大功率�(yīng)用場(chǎng)景的需��
4. 高耐壓能力,額定漏源電壓為60V,可�(yīng)�(duì)多種�(fù)雜電路環(huán)��
5. 具備卓越的熱�(wěn)定性和可靠性,能夠在高溫環(huán)境下�(zhǎng)期運(yùn)行�
6. 采用�(wú)鉛封�,符� RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且易于焊接與安��
7. 提供�(yōu)異的 ESD 保護(hù)功能,增�(qiáng)器件抗干擾能��
SQJA20EP-T1_GE3 廣泛用于以下�(yīng)用領(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器�
2. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)和控制電��
3. 筆記本電腦和�(tái)式機(jī)的電源管理系�(tǒng)�
4. 電池充電器及能量回收系統(tǒng)�
5. 汽車電子中的�(fù)載開(kāi)�(guān)和繼電器替代方案�
6. 各類高效能功率轉(zhuǎn)換模��
7. LED �(qū)�(dòng)器和其他需要大電流輸出的應(yīng)用場(chǎng)景�
SQJA20EP
SQJA20EP-T1-GE3
FDP5800
IRLR7843