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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > LM4132

LM4132 發(fā)布時間 時間�2020/11/16 14:45:58 查看 閱讀�2589

    LM4132系列精密電壓基準的性能可與最佳的激光微�(diào)雙極性基準相媲美,但是采用了�(jīng)濟高效的CMOS技術。突破的關鍵是使用EEPROM寄存器來校正CMOS帶隙架構上的曲率,溫度系�(shù)(tempco)和精度,從而允許封裝級編程克服組裝偏移。在將芯片組裝到塑料封裝中期間,電壓精度和溫度系�(shù)的變化限制了用激光技術修整的基準的精��
    與其他LDO參考不�,LM4132可以提供高達20mA的電流,并且不需要輸出電容器或緩沖放大器。這些�(yōu)勢與SOT-23封裝一起對于空間至關重要的應用非常重要�
    串聯(lián)基準電壓源比并聯(lián)基準電壓源具有更低的功�,因為它們在空載條件下不必空載最大可能的負載電流。這種�(yōu)�,低靜態(tài)電流�60μA)和低壓差(400mV)使得LM4132非常適合電池供電的解決方��
    LM4132具有五個等級(A,B,C,D和E),以提供更大的靈活�。最佳等級的設備(A)的初始精度�0.05�,指定的溫度系數(shù)�10ppm/°C或更低,而最低等級的設備(E)的初始精度�0.5�,溫度系�(shù)�30ppm/℃�

目錄

特�

    汽車應用合格
    AEC-Q100符合以下結果�
    器件溫度等級1:�40°C�+125°C的環(huán)境工作溫度范�
    設備HBMESD分類2�
    輸出初始電壓精度�0.05�
    低溫系數(shù)�10ppm/°C
    低電源電流:60μA
    使能引腳,允�3μA的關斷模�
    20mA輸出電流
    電壓選項�1.8V�2.048V�2.5V�3V�3.3V�4.096V
    提供自定義電壓選項(1.8V�4.096V�
    VIN�10mA時VREF+400mV�5.5V的范�
    用低ESR陶瓷電容器穩(wěn)�

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