LM4132系列精密電壓基準的性能可與最佳的激光微�(diào)雙極性基準相媲美,但是采用了�(jīng)濟高效的CMOS技術。突破的關鍵是使用EEPROM寄存器來校正CMOS帶隙架構上的曲率,溫度系�(shù)(tempco)和精度,從而允許封裝級編程克服組裝偏移。在將芯片組裝到塑料封裝中期間,電壓精度和溫度系�(shù)的變化限制了用激光技術修整的基準的精��
與其他LDO參考不�,LM4132可以提供高達20mA的電流,并且不需要輸出電容器或緩沖放大器。這些�(yōu)勢與SOT-23封裝一起對于空間至關重要的應用非常重要�
串聯(lián)基準電壓源比并聯(lián)基準電壓源具有更低的功�,因為它們在空載條件下不必空載最大可能的負載電流。這種�(yōu)�,低靜態(tài)電流�60μA)和低壓差(400mV)使得LM4132非常適合電池供電的解決方��
LM4132具有五個等級(A,B,C,D和E),以提供更大的靈活�。最佳等級的設備(A)的初始精度�0.05�,指定的溫度系數(shù)�10ppm/°C或更低,而最低等級的設備(E)的初始精度�0.5�,溫度系�(shù)�30ppm/℃�
汽車應用合格
AEC-Q100符合以下結果�
器件溫度等級1:�40°C�+125°C的環(huán)境工作溫度范�
設備HBMESD分類2�
輸出初始電壓精度�0.05�
低溫系數(shù)�10ppm/°C
低電源電流:60μA
使能引腳,允�3μA的關斷模�
20mA輸出電流
電壓選項�1.8V�2.048V�2.5V�3V�3.3V�4.096V
提供自定義電壓選項(1.8V�4.096V�
VIN�10mA時VREF+400mV�5.5V的范�
用低ESR陶瓷電容器穩(wěn)�