TFD070N02是一種N溝道增強(qiáng)型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),廣泛應(yīng)用于電源管理、開�(guān)電路和電�(jī)�(qū)�(dòng)等領(lǐng)域。該器件以其低導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度著稱,適合高頻應(yīng)用環(huán)境�
該MOSFET采用TO-252封裝形式,具有良好的散熱性能和緊湊的�(shè)�(jì),便于在高密度電路板中使��
最大漏源電壓:20V
最大柵源電壓:±20V
持續(xù)漏極電流�7A
�(dǎo)通電阻:4.5mΩ(典型值)
柵極電荷�10nC(典型值)
開關(guān)�(shí)間:ton=9ns,toff=6ns(典型值)
工作�(jié)溫范圍:-55℃至+150�
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,有助于降低功率損耗并提高效率�
2. 快速開�(guān)能力,適用于高頻開關(guān)�(yīng)��
3. 具備出色的熱�(wěn)定性和可靠性,能夠在較寬的工作溫度范圍�(nèi)�(yùn)��
4. 小型化封裝設(shè)�(jì),節(jié)省PCB空間,同�(shí)保持良好的電氣性能�
5. 高雪崩擊穿能�,增�(qiáng)了器件在瞬態(tài)條件下的魯棒性�
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的同步整流器�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器及降�/升壓電路�
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)和負(fù)載切��
4. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的電源管理和保護(hù)電路�
5. 工業(yè)控制�(lǐng)域中的信�(hào)�(diào)理和功率�(diào)節(jié)電路�
IRF7404, AO3400