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BSZ180P03NS3E G 發(fā)布時間 時間:2025/5/30 15:53:26 查看 閱讀:3

BSZ180P03NS3E G 是一款基于硅技術(shù)的超快恢復(fù)整流二極管(Ultrafast Recovery Rectifier),由知名半導(dǎo)體廠商制造。這款二極管主要用于高頻開關(guān)電路和功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中,其設(shè)計旨在提供較低的正向電壓降、快速的恢復(fù)時間和低反向漏電流。該器件采用 TO-252 (DPAK) 封裝形式,適用于表面貼裝工藝。由于其優(yōu)異的性能表現(xiàn),廣泛應(yīng)用于各種工業(yè)及消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的高效電源轉(zhuǎn)換解決方案。
  BSZ180P03NS3E G 的主要特點(diǎn)包括出色的熱性能、高浪涌能力以及在高頻條件下保持穩(wěn)定性的能力。這些特性使其非常適合于開關(guān)電源、DC-DC 轉(zhuǎn)換器、逆變器以及其他需要高性能整流的應(yīng)用場景。

參數(shù)

最大重復(fù)峰值反向電壓:30V
  最大直流阻斷電壓:30V
  最大平均正向整流電流:8A
  典型正向電壓降:0.75V
  最大功耗:75W
  結(jié)溫范圍:-55℃至+175℃
  封裝類型:TO-252 (DPAK)
  工作頻率:高達(dá) 100kHz

特性

BSZ180P03NS3E G 的關(guān)鍵特性在于其具備非常低的正向?qū)▔航�,這有助于減少功率損耗并提高整體效率。此外,它還擁有快速的恢復(fù)時間,通常小于 35ns,確保了在高頻應(yīng)用中的卓越性能表現(xiàn)。
  該器件采用了先進(jìn)的封裝技術(shù),從而提供了優(yōu)良的散熱性能,并且能夠在較高的環(huán)境溫度下可靠運(yùn)行。同時,其低反向漏電流特性進(jìn)一步增強(qiáng)了在高溫條件下的穩(wěn)定性。
  對于電磁兼容性要求較高的系統(tǒng)來說,BSZ180P03NS3E G 憑借其良好的瞬態(tài)響應(yīng)特性和抗干擾能力,能夠有效降低噪聲對系統(tǒng)的影響。另外,它的高浪涌電流能力也為系統(tǒng)提供了額外的保護(hù)。

應(yīng)用

BSZ180P03NS3E G 廣泛用于多種高頻和高效率的電力電子設(shè)備中,具體應(yīng)用場景包括但不限于以下:
  1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的整流部分,例如 AC-DC 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。
  2. 電機(jī)驅(qū)動電路中的續(xù)流二極管。
  3. 太陽能逆變器和其他可再生能源系統(tǒng)的功率轉(zhuǎn)換模塊。
  4. 各種類型的工業(yè)控制設(shè)備和家用電器中的電源管理單元。
  5. 高頻脈寬調(diào)制(PWM)電路中的整流元件。
  6. 電動汽車和混合動力汽車中的電池管理系統(tǒng)與電驅(qū)系統(tǒng)相關(guān)的功率轉(zhuǎn)換部分。
  通過使用 BSZ180P03NS3E G,可以顯著提升這些系統(tǒng)的效率并改善其動態(tài)性能。

替代型號

BSZ180P03NS3

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  • 產(chǎn)品型號
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bsz180p03ns3e g參數(shù)

  • 數(shù)據(jù)列表BSZ180P03NS3E G
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝5,000
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 單
  • 系列OptiMOS™
  • FET 型MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電壓(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C39.6A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C18 毫歐 @ 20A,10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)1.9V @ 48µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs30nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds2220pF @ 15V
  • 功率 - 最大2.1W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-PowerTDFN
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝PG-TSDSON-8(3.3x3.3)
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱SP000709740