GA1210H184JXXAR31G是一款高性能的MOSFET功率晶體管,適用于高頻開關(guān)和功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。該器件采用先進(jìn)的半導(dǎo)體制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度和出色的熱性能。它廣泛用于電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、DC-DC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。
這款芯片屬于N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管,能夠有效降低功耗并提高系統(tǒng)效率。其封裝形式通常為行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的小外形封裝(SOIC),便于表面貼裝技術(shù)(SMT)使用。
最大漏源電壓:120V
連續(xù)漏極電流:10A
導(dǎo)通電阻:18mΩ
柵極電荷:55nC
工作溫度范圍:-55℃至175℃
典型閾值電壓:2.5V
總功耗:12W
GA1210H184JXXAR31G的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),有助于減少傳導(dǎo)損耗并提升效率。
2. 高速開關(guān)能力,支持高頻操作,適合現(xiàn)代電力電子應(yīng)用。
3. 強(qiáng)大的熱性能設(shè)計(jì),允許在高負(fù)載條件下穩(wěn)定運(yùn)行。
4. 支持寬泛的工作溫度范圍,適應(yīng)惡劣環(huán)境下的應(yīng)用需求。
5. 具備良好的靜電防護(hù)能力,確保器件在生產(chǎn)和使用過程中的可靠性。
6. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),滿足環(huán)保要求。
該芯片適用于以下場景:
1. 開關(guān)電源(SMPS)及AC-DC適配器。
2. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的充放電控制。
3. DC-DC轉(zhuǎn)換器和逆變器。
4. 汽車電子中的電機(jī)驅(qū)動(dòng)和負(fù)載切換。
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模塊。
6. LED照明驅(qū)動(dòng)電路。
IRFZ44N
FDP5800
AOD510
STP10NK60Z