TEPSLB21E156M8R是一款由Toshiba生產(chǎn)的高性能功率MOSFET芯片,主要應(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)和開�(guān)電路等領(lǐng)域。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電�、高效率和優(yōu)異的熱性能,能夠滿足工�(yè)和消�(fèi)電子�(lǐng)�?qū)Ω咝芄β兽D(zhuǎn)換的需��
這款MOSFET屬于N溝道增強(qiáng)型器�,適用于高頻開關(guān)�(yīng)用和�(fù)載切換場(chǎng)景。其封裝形式為小型化的表面貼裝類型(如TO-252或DPAK�,非常適合空間受限的�(shè)�(jì)�(huán)境�
型號(hào):TEPSLB21E156M8R
類別:功率MOSFET
類型:N溝道
漏源極電�(Vds)�60V
柵極源極電壓(Vgs):�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�30A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�1.5mΩ
功�(Ptot)�74W
工作溫度范圍�-55� to +150�
252)
TEPSLB21E156M8R以其卓越的電氣特性和可靠性著�。以下是其主要特�(diǎn)�
1. 極低的導(dǎo)通電�(1.5mΩ),顯著降低了�(dǎo)通損�,提高了整體系統(tǒng)效率�
2. 高額定電�(30A),使其能夠承受較大的�(fù)載電流,適用于高功率�(yīng)��
3. �(yōu)化的開關(guān)性能,支持高頻操�,減少了電磁干擾并提升了�(dòng)�(tài)響應(yīng)速度�
4. �(qiáng)大的熱管理能�,確保在高溫�(huán)境下�(wěn)定運(yùn)��
5. 小型化封裝設(shè)�(jì),節(jié)省了PCB空間,適合緊湊型�(shè)�(jì)方案�
6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且易于集成到現(xiàn)代電子產(chǎn)品中�
TEPSLB21E156M8R廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)和DC-DC�(zhuǎn)換器,提供高效的功率�(zhuǎn)��
2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)和控�,用于家用電器、工�(yè)�(shè)備中的電�(jī)啟動(dòng)與調(diào)��
3. 電池保護(hù)和管理系�(tǒng)(BMS),防止過(guò)�、過(guò)放及短路�
4. 汽車電子,例如電�(dòng)助力�(zhuǎn)向系�(tǒng)(EPAS)、LED照明以及車載充電器等�
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切換和功率�(diào)節(jié)模塊�
TEPSLB21E156M8Q, IRFZ44N, FDP55N60