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TEPSLB21E156M8R 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/29 17:57:45 查看 閱讀�28

TEPSLB21E156M8R是一款由Toshiba生產(chǎn)的高性能功率MOSFET芯片,主要應(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)和開�(guān)電路等領(lǐng)域。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電�、高效率和優(yōu)異的熱性能,能夠滿足工�(yè)和消�(fèi)電子�(lǐng)�?qū)Ω咝芄β兽D(zhuǎn)換的需��
  這款MOSFET屬于N溝道增強(qiáng)型器�,適用于高頻開關(guān)�(yīng)用和�(fù)載切換場(chǎng)景。其封裝形式為小型化的表面貼裝類型(如TO-252或DPAK�,非常適合空間受限的�(shè)�(jì)�(huán)境�

參數(shù)

型號(hào):TEPSLB21E156M8R
  類別:功率MOSFET
  類型:N溝道
  漏源極電�(Vds)�60V
  柵極源極電壓(Vgs):�20V
  連續(xù)漏極電流(Id)�30A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�1.5mΩ
  功�(Ptot)�74W
  工作溫度范圍�-55� to +150�
  252)

特�

TEPSLB21E156M8R以其卓越的電氣特性和可靠性著�。以下是其主要特�(diǎn)�
  1. 極低的導(dǎo)通電�(1.5mΩ),顯著降低了�(dǎo)通損�,提高了整體系統(tǒng)效率�
  2. 高額定電�(30A),使其能夠承受較大的�(fù)載電流,適用于高功率�(yīng)��
  3. �(yōu)化的開關(guān)性能,支持高頻操�,減少了電磁干擾并提升了�(dòng)�(tài)響應(yīng)速度�
  4. �(qiáng)大的熱管理能�,確保在高溫�(huán)境下�(wěn)定運(yùn)��
  5. 小型化封裝設(shè)�(jì),節(jié)省了PCB空間,適合緊湊型�(shè)�(jì)方案�
  6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且易于集成到現(xiàn)代電子產(chǎn)品中�

�(yīng)�

TEPSLB21E156M8R廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)和DC-DC�(zhuǎn)換器,提供高效的功率�(zhuǎn)��
  2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)和控�,用于家用電器、工�(yè)�(shè)備中的電�(jī)啟動(dòng)與調(diào)��
  3. 電池保護(hù)和管理系�(tǒng)(BMS),防止過(guò)�、過(guò)放及短路�
  4. 汽車電子,例如電�(dòng)助力�(zhuǎn)向系�(tǒng)(EPAS)、LED照明以及車載充電器等�
  5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切換和功率�(diào)節(jié)模塊�

替代型號(hào)

TEPSLB21E156M8Q, IRFZ44N, FDP55N60

tepslb21e156m8r推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
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  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)