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SIC631CD-T1-GE3 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/27 12:32:15 查看 閱讀�31

SIC631CD-T1-GE3 是一款基于碳化硅 (SiC) 技�(shù)� MOSFET 功率晶體�,由 GeneSiC Semiconductor 公司生產(chǎn)。該器件采用 TO-247 封裝,具有高耐壓、低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度的特�(diǎn),適用于高效率電源轉(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)、不間斷電源 (UPS) 等領(lǐng)��
  碳化� MOSFET 的材料特性使其在高溫、高頻和高功率密度的�(yīng)用中表現(xiàn)出色,相比傳�(tǒng)硅基 MOSFET,它能夠顯著降低開關(guān)損耗和�(dǎo)通損��

參數(shù)

額定電壓�1200V
  額定電流�30A
  �(dǎo)通電阻:80mΩ
  柵極電荷�95nC
  輸入電容�1140pF
  最大工作結(jié)溫:175°C
  封裝類型:TO-247-3

特�

SIC631CD-T1-GE3 采用先�(jìn)� SiC 技�(shù),具備以下特�(diǎn)�
  1. 高擊穿電壓能�,支持高�(dá) 1200V 的應(yīng)用環(huán)境�
  2. 極低的導(dǎo)通電�,可有效減少傳導(dǎo)損��
  3. 快速開�(guān)性能,支持高頻操作,從而減小無源元件體積并提高系統(tǒng)效率�
  4. 出色的熱�(wěn)定�,在極端溫度條件下仍能保持穩(wěn)定運(yùn)��
  5. 超低反向恢復(fù)電荷,有助于�(jìn)一步降低開�(guān)損��
  6. 高可靠性設(shè)�(jì),適用于惡劣工業(yè)�(huán)��

�(yīng)�

SIC631CD-T1-GE3 廣泛�(yīng)用于需要高效功率轉(zhuǎn)換和高頻開關(guān)的場(chǎng)�,具體包括:
  1. 太陽(yáng)能逆變器中� DC-AC �(zhuǎn)換電��
  2. 電動(dòng)汽車 (EV) 充電器和牽引逆變��
  3. 不間斷電� (UPS) 和服�(wù)器電源模��
  4. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)器和變頻控制��
  5. 開關(guān)模式電源 (SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器�
  6. �(fēng)力發(fā)電和其他可再生能源系�(tǒng)的功率調(diào)節(jié)�(shè)��

替代型號(hào)

SIC632CD-T1-GE3
  SIC630CD-T1-GE3

sic631cd-t1-ge3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

sic631cd-t1-ge3資料 更多>

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sic631cd-t1-ge3參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�17,519�(xiàn)�
  • �(jià)�1 : �22.90000剪切帶(CT�3,000 : �10.16999卷帶(TR�
  • 系列VRPower?
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 輸出配置半橋
  • �(yīng)�同步降壓�(zhuǎn)換器
  • 接口PWM
  • �(fù)載類�電感
  • 技�(shù)功率 MOSFET
  • �(dǎo)通電阻(典型值)-
  • 電流 - 輸出/通道50A
  • 電流 - 峰值輸�55A
  • 電壓 - 供電4.5V ~ 5.5V
  • 電壓 - �(fù)�4.5V ~ 24V
  • 工作溫度-40°C ~ 150°C(TJ�
  • 特�自舉電路,二極管仿真
  • 故障保護(hù)UVLO
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 封裝/外殼PowerPAK? MLP55-31L
  • 供應(yīng)商器件封�PowerPAK? MLP55-31L