時間：2025/5/21 20:45:03
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SUM60N04-05C-E3 是一款基于硅技術(shù)制造的高壓 MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）。該器件適用于需要高電壓耐受能力的場景，例如開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動以及各種工業(yè)應(yīng)用。其封裝形式為 TO-220，具有良好的散熱性能和耐用性。
這款器件的主要特點(diǎn)是其高擊穿電壓和低導(dǎo)通電阻特性，使其非常適合高頻開關(guān)應(yīng)用。此外，SUM60N04-05C-E3 具備優(yōu)異的熱穩(wěn)定性和抗浪涌能力。
類型：N溝道 MOSFET
最大漏源電壓（Vds）：600V
最大柵源電壓（Vgs）：±20V
連續(xù)漏極電流（Id）：4A
脈沖漏極電流（Id pulsed）：16A
導(dǎo)通電阻（Rds(on)）：1.2Ω（典型值，25°C）
總功耗（Ptot）：115W
工作溫度范圍：-55°C 至 +150°C
封裝形式：TO-220
SUM60N04-05C-E3 的主要特性包括以下幾點(diǎn)：
1. 高擊穿電壓（600V），確保在高壓環(huán)境下的可靠運(yùn)行。
2. 低導(dǎo)通電阻（1.2Ω），有助于降低功率損耗并提高效率。
3. 快速開關(guān)速度，適合高頻應(yīng)用。
4. 內(nèi)置防靜電保護(hù)，增強(qiáng)器件的魯棒性。
5. 良好的熱性能，能夠承受較高的結(jié)溫。
6. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且適用于現(xiàn)代電子設(shè)計(jì)需求。
7. 寬工作溫度范圍（-55°C 至 +150°C），適應(yīng)極端環(huán)境條件。
SUM60N04-05C-E3 可廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
1. 開關(guān)電源（SMPS）中的功率開關(guān)。
2. 逆變器和電機(jī)驅(qū)動電路中的功率控制元件。
3. 工業(yè)自動化設(shè)備中的高壓開關(guān)。
4. LED 驅(qū)動器和其他照明系統(tǒng)的功率管理。
5. 各類電器中的電磁干擾濾波電路。
6. 電池管理系統(tǒng)（BMS）中的保護(hù)開關(guān)。
7. 電感負(fù)載切換及續(xù)流二極管替代方案。
SUM60N04-05C-E2, IRF840, STP60NF06L
