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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > SI1024X-T1-E3

SI1024X-T1-E3 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/8 16:45:51 查看 閱讀�23

SI1024X-T1-E3 是一款由 Siliconix(現(xiàn)� Vishay 公司的一部分)生�(chǎn)� N 溝道增強(qiáng)� MOSFET 芯片。該器件采用 TrenchFET 技�(shù)制造,能夠提供低導(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度,非常適合用于直�-直流�(zhuǎn)換器、負(fù)載開�(guān)、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及便攜式設(shè)備中的功率管理應(yīng)��
  這款 MOSFET 的封裝形式為微型表面貼裝類型,具有緊湊的尺寸和出色的散熱性能,適合高密度電路�(shè)�(jì)�

參數(shù)

最大漏源電壓:30V
  連續(xù)漏極電流�7.9A
  �(dǎo)通電阻(典型�,Vgs=10V):6.5mΩ
  柵極電荷�2.9nC
  反向恢復(fù)�(shí)間:8ns
  工作�(jié)溫范圍:-55� � +150�

特�

SI1024X-T1-E3 具有以下顯著特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電�,有助于減少功率損耗并提高效率�
  2. 高速開�(guān)性能,使其適用于高頻開關(guān)�(yīng)��
  3. 小巧的封裝尺寸,節(jié)� PCB 空間�
  4. 出色的熱�(wěn)定�,能夠在寬溫度范圍內(nèi)可靠�(yùn)��
  5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足�(xiàn)代電子產(chǎn)品的法規(guī)要求�
  6. �(nèi)� ESD 保護(hù)功能,增�(qiáng)了器件的耐用��

�(yīng)�

� MOSFET 廣泛�(yīng)用于各種電子�(shè)備中,包括但不限于:
  1. 開關(guān)電源(SMPS�
  2. 電池供電�(shè)備中的負(fù)載切�
  3. 電機(jī)控制和驅(qū)�(dòng)電路
  4. LED �(qū)�(dòng)�
  5. 工業(yè)自動(dòng)化系�(tǒng)中的信號(hào)�(diào)節(jié)模塊
  6. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中� DC-DC �(zhuǎn)換器
  其高效能和小體積的特�(diǎn)使其成為移動(dòng)�(shè)備和便攜式產(chǎn)品設(shè)�(jì)的理想選擇�

替代型號(hào)

SI1023DP-T1-E3, SI1025DP-T1-E3

si1024x-t1-e3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

si1024x-t1-e3�(chǎn)�

si1024x-t1-e3參數(shù)

  • �(shù)�(jù)列表SI1024X
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - 陣列
  • 系列TrenchFET®
  • FET �2 �(gè) N 溝道(雙�
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)20V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C485mA
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C700 毫歐 @ 600mA�4.5V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)900mV @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs0.75nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds-
  • 功率 - 最�250mW
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼SOT-563,SOT-666
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�SC-89-6
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱SI1024X-T1-E3TR