SI1024X-T1-E3 是一款由 Siliconix(現(xiàn)� Vishay 公司的一部分)生�(chǎn)� N 溝道增強(qiáng)� MOSFET 芯片。該器件采用 TrenchFET 技�(shù)制造,能夠提供低導(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度,非常適合用于直�-直流�(zhuǎn)換器、負(fù)載開�(guān)、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及便攜式設(shè)備中的功率管理應(yīng)��
這款 MOSFET 的封裝形式為微型表面貼裝類型,具有緊湊的尺寸和出色的散熱性能,適合高密度電路�(shè)�(jì)�
最大漏源電壓:30V
連續(xù)漏極電流�7.9A
�(dǎo)通電阻(典型�,Vgs=10V):6.5mΩ
柵極電荷�2.9nC
反向恢復(fù)�(shí)間:8ns
工作�(jié)溫范圍:-55� � +150�
SI1024X-T1-E3 具有以下顯著特性:
1. 極低的導(dǎo)通電�,有助于減少功率損耗并提高效率�
2. 高速開�(guān)性能,使其適用于高頻開關(guān)�(yīng)��
3. 小巧的封裝尺寸,節(jié)� PCB 空間�
4. 出色的熱�(wěn)定�,能夠在寬溫度范圍內(nèi)可靠�(yùn)��
5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足�(xiàn)代電子產(chǎn)品的法規(guī)要求�
6. �(nèi)� ESD 保護(hù)功能,增�(qiáng)了器件的耐用��
� MOSFET 廣泛�(yīng)用于各種電子�(shè)備中,包括但不限于:
1. 開關(guān)電源(SMPS�
2. 電池供電�(shè)備中的負(fù)載切�
3. 電機(jī)控制和驅(qū)�(dòng)電路
4. LED �(qū)�(dòng)�
5. 工業(yè)自動(dòng)化系�(tǒng)中的信號(hào)�(diào)節(jié)模塊
6. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中� DC-DC �(zhuǎn)換器
其高效能和小體積的特�(diǎn)使其成為移動(dòng)�(shè)備和便攜式產(chǎn)品設(shè)�(jì)的理想選擇�
SI1023DP-T1-E3, SI1025DP-T1-E3